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求助：关于600V IGBT与1200V IGBT温升不同的解决方案 点击：785 | 回复：9



wcx1010

    
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发表于：2010-10-25 13:55:36
楼主
我制作一台五千瓦的电源原来用600V的IGBT，工作很好，由于要用三项电供电。准备使用1200V的IGBT，只换IGBT和功率部分。发现工作参数基本没变，但是IGBT的温升明显上升。工作几分钟即过温保护。请求高手予以指点。
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wcx1010

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发表于：2010-10-25 14:22:53
1楼
或者将600V的IGBT直接换成1200V的用单项供电结果基本相同。
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zhanziling

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发表于：2010-10-25 15:02:45
2楼
学习一下！
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芯片级维修

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发表于：2010-10-25 20:31:46
3楼
1200V的管压降可能比600V的大出不少，可以做一个IGBT导通实验，证实一下。
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wcx1010

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发表于：2010-10-27 13:30:26
4楼
回复内容：
对：芯片级维修 关于1200V的管压降可能比600V的大出不少，可以做一个IGBT导通实验，证实一下。 内容的回复：
实际测试饱和压降为1.5v到1.7V，（小功率时）区别并不大。在3相供电时，满功率1200v的IGBT饱和压降为2.5V，峰值电流50A。输出下降时间140nS，上升时间300nS
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老愚者

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发表于：2010-10-27 21:27:47
5楼
上升时间过长吧，可能1200V的这批结电容大，加上触发电路内阻可能大，IGBT处于线性区域时间太长，这个过程的发热比管压降大多的。应改善触发电路，增加电压至不低于15V，降低其内阻。
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知秋

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发表于：2010-10-27 23:17:35
6楼
IGBT额定工作电流选小了。
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芯片级维修

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发表于：2010-10-28 09:26:07
7楼
引用老愚者 的回复内容：上升时间过长吧，可能1200V的这批结电容大，加上触发电路内阻可能大，IGBT处于线性区域时间太长，这个过程的发热比管压降大多的。应改善触发电路，增加电压至不低于15V，降低其内阻。
有道理。可以将串联在G极的电阻值取小试试。
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wcx1010

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发表于：2010-10-29 11:12:49
8楼
回复内容：
对：知秋 关于IGBT额定工作电流选小了。 内容的回复：
此电源为软开关电源，目前因为功率太小工作在硬开关状态，所以上升时间长。有时上升时间达到400nS。IGBT的CE间接了202的电容，电容中串联了10R的功率电阻。负载为感性。
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wcx1010

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发表于：2010-10-29 11:15:49
9楼
回复内容：
对：知秋 关于IGBT额定工作电流选小了。 内容的回复：
因为600V的IGBT用的也是100A的所有，1200V/100A应该不小了。并且5KW功率也不算大。
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