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请教大电流功率管的问题 点击：8578 | 回复：170



奔三十的男孩

    
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发表于：2007-07-24 17:20:00
楼主
接解过一款大电流的功率管, 接成桥式驱动电路时, 发现发热量很大.  由于DATASHEET的图示中, 好像管子本身就有续流管, 所以设计时没有再外接续流管. 个人怀疑是这个原因造成的.  请有经验的高人指点下, 这种情况下要不要外接续流管?  
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奔三十的男孩

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发表于：2007-09-01 10:58:00
121楼
载波频率换成10K后, PWM输入占空比要到86%, 输出才100. 不存在奇点, 线性度非常好. 
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lg_006

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发表于：2007-09-01 11:08:00
122楼
那么现在问题出来了，如果是80K的载波频率，要选多大开关频率的光偶呢？而且，即使线型度好，看来还要选择一个恰当的比例系数（为什么？，怎么计算？）才可以实现相对合理的控制。还有加上mos管后，会有什么变化呢？再加上电机呢？
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奔三十的男孩

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发表于：2007-09-01 11:33:00
123楼
已经找到了10M HZ的光耦了, 估计换过去后效果会有明显改善, 就是不确定能不能买到货.  还有载波频率的问题, 从我这些天找的资料来看, 还是支持载波频率越高, MOS管发热越大的结论的多, 至于前些天做的试验, 发热频率越低, MOS管发热越大的情况, 虽然跟触点兄讨论了一下, 我心底里还是没有定论. 故载波频率还是先缓一下.    至于"还有加上mos管后，会有什么变化呢？再加上电机呢", MOS管和电机, 跟前驱电路基本上是相互隔离的, 只是通过一个MOS管的感生电容来控制MOS的开关而已, 估计加上后对前驱电路的输出应该没有什么影响. 
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标准触点

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发表于：2007-09-01 13:16:00
124楼
我这几天也在实验逆变电路，是一输入电压交流220伏最大功率4千瓦，工作频率100千赫左右的脉宽调制单端逆变电路，用来驱动电磁感应加热器。刚开始做了一块pcb板，由于使用了一种新的控制脉宽调制器，不是很熟悉，cmos管发热也是很厉害，观察波形发现，在没用对管子施加高压（220伏整流的300伏左右的直流）时，驱动波形正常，加上高压波形就变化了，上升沿斜度加大，下降沿在接近2伏左右时突然变得很平缓，估计就是后者造成发热的。后来改了一板，今早试验，在1千瓦状态下散热器几乎没有温升，估计最大状态下也是正常的，波形在正常运行时上升沿没变化，下降沿的最后阶段有振幅很小的阻尼震荡，但是不影响使用。我觉得最重要的就是驱动波形了，我以前做的电路只要运行状态下波形符合要求，一般就没有问题。
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奔三十的男孩

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发表于：2007-09-01 14:06:00
125楼
嗯，学习一下，　还真没有这么细心留意加载和不加载的变化．谢谢触点和ＬＧ兄．
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奔三十的男孩

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发表于：2007-09-01 15:18:00
126楼
完了, 刚才看仔细看了找着的那些高频光耦, 发现没有一个能用的. 因为我的前级驱动电路用的是+-12V, 相当于光耦的输出端电压范围是24V, 而我找到的几个光耦, 输出端电压最大只有20V.  怎么办?  怎么办???   难道要改前级驱动电路????????????????????
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奔三十的男孩

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发表于：2007-09-01 15:39:00
127楼
重新考虑了一下+-12V前驱模式, 觉得+12是应该, -12好像确实如触点兄所言, 没什么用处, -2或-4就够了. 但是, 如何去获得一个-4伏的压差, 也是个问题, 另外加独立电源的话, 又太浪费.  触点兄, 有什么好建议?
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发表于：2007-09-02 09:47:00
128楼
使用15电源，在S极串接一个3伏的稳压管，并与该稳压管并接一个电容，让S极通过稳压管再接驱动电源地。这样当G接通正15伏电源后，由于稳压管的作用，在S极上实际只有12伏（初始由于并接电熔的充电作用这个电压开始时15伏逐渐降到12伏），另外3伏被稳压管举升了（注意最好在G与S之间再接一个10K的电阻），并且与稳压管并接的电容将充电3伏，当G对地泄放时（关断状态），这个电容将利用充电的3伏反向给S-G之间一个3伏的电压。如果像利用原来的正负12伏电源，就将负12伏作为地，正12伏串接一个7伏左右的稳压管就获得15伏单一电源了，注意要接个电容。
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发表于：2007-09-02 10:30:00
129楼
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发表于：2007-09-02 12:17:00
130楼
谢谢触点兄,  今天放假, 静不下心来看. 明天再好好看.
    先提点疑虑: "在S极串接一个3伏的稳压管", 那个回路上, 通的电流最大要120A多, 估计没那么大的稳压管吧?
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发表于：2007-09-02 12:34:00
131楼
呵呵，我画错了，电动机的驱动引出线要在稳压管前面，不好意思
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发表于：2007-09-02 12:42:00
132楼
不好意思啊，我没仔细看就传上来了，呵呵。
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发表于：2007-09-02 12:55:00
133楼
这个是用隔离变压器驱动场效应管的，单方向正向驱动电路，隔离变压器是交流输入，交流输出
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发表于：2007-09-03 08:01:00
134楼
昨天下午做过载保护试验，7个管子报销了6个，今天要抓紧试验了，任务紧迫，呵呵。
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135楼
触点兄, 看了你给的电路图后, 很有些启发, 特别是稳压管的妙用. 但还是有一个疑问: 在三伏稳压管那并上那个电容, 电容取多大合适,  它的存在, 会不会对MOS管的感生电容的充电速度造成影响?　　　另外，管子关断时，用电容上的三伏电压反向给ＧＳ加压差，　电容的电应该不会放完的吧，　是不是只放掉少量的一部分，　因为ＭＯＳ管的感生电容的总电量是挺少的，在关断期间，ＧＳ间应该都有一个接近３Ｖ的反压差来钳住吧？
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发表于：2007-09-03 09:24:00
136楼
还有，　您说的＂注意最好在G与S之间再接一个10K的电阻＂就是指电路图上的Ｒ？ＲＥＳ２吗？
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奔三十的男孩

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发表于：2007-09-03 09:27:00
137楼
再有, 您给的"隔离变压器驱动场效应管的"电路里面, 那个PNP三极管, 带个大圆圈的, 表示什么意思啊?
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发表于：2007-09-03 09:46:00
138楼
这个电容因为频率比较高1微法就足够了，这个电容只会利于管子的充电，10K电阻指的是这个电容上面串联的电阻（10K只是我随便说的，只要不影响到管子的开关，可以小一些），因为在反向时多少这个电容会通过管子和这个电阻放电，电位将降低到低于3V的状态，在驱动上升沿到来时，初始施加在管子上的电压首先要充电这个电容到3伏，所以上升沿阶段管子获得的电压要大于12V，有利于快速开通。大圆圈？99上的元件库里PNP就是这么画的啊？我是用的8550这种三极管，所以直接标注了。 
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发表于：2007-09-03 10:04:00
139楼
一般的，CMOS管子是不需要施加反向电位来关断并且钳位的。我画的是IGBT的一种驱动电路，由于IGBT的寄生电容要大CMOS很多，所以直接对地放电关断速度不够快，需要施加反向电压来加速关断，只要你的驱动电路在关断状态下一直将G-S短路，就不需要钳位。你的管子比较大，我不清楚是否需要反向电压，所以就画了。这两种管子单纯比较驱动，比较相似，就是IGBT寄生电容大，需要驱动电路的瞬时驱动电流要大。以前我使用TTL数字电路并联直接驱动过CMOS，小管子问题不大，就是管子大了或者并联多了，由于TTL的内阻造成驱动波形变得很倾斜。所以驱动电路的管子一定要在瞬时大电流冲击下内阻足够小，一般的CMOS驱动管子要驱动能力在1安以上的管子才行。
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发表于：2007-09-03 11:26:00
140楼
谢谢触点兄,  学到不少东西. 
我之前的电路, 将光耦换成6N135(1MHZ的, 输出电压范围有的牌子15V, 有的牌子20V), 我再将原来的电路小改一下, 理论上也没有什么问题(还是+-12驱动).   不过我又很想试试你给的电路, 哈哈, 真是难选择. 
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