Help：自举电路 点击：2593 | 回复：28
发表于：2008-04-07 21:02:10
8楼
对于伺服的三相IGBT或PIM，IPM驱动级而言，是指功率桥臂高端和低端栅极驱动都需要15～18V电源供给，一般低端三管共地供电，较容易理解，而高端三管的供电则需要与低端隔离，并各自隔离，因此高端供电必须隔离，产生高端隔离供电的方式大致有变压器隔离供电和自举隔离供电等两大类型，变压器隔离也很容易理解，但是也存在设计复杂和占板面较大等缺点。
因此在一些低端和紧凑型设计中，往往采用自举供电，其原理为在同一桥臂的低端管子饱和导通时，高端管子的隔离电源的地会被拉低到与直流母线地仅相差一个饱和压降的低压态，此时为低端栅极供电的15～18V电压就可以通过“自举二极管”向高端隔离电源的储能“自举电容”充电，等低端管子截至，而高端管子就可以在刚才充电后的“自举电容”的电压供给下后开通，此后高端管子的隔离电源地就被抬升到与直流母线正相差无几的高电压态，此时高端栅极驱动电源完全由“自举电容”提供，与此同时“自举二极管”则起到高端电源与低端电源的高压隔离的作用。
“自举二极管”必须是高耐压的快回复二极管，且必须能够承受自举充电瞬间的大电流冲击，“自举电容”的容量也必须合适，既要能够满足高端电源的负荷能力，又要避免充电瞬间对“自举二极管”的冲击。
需要指出的是，自举供电模式下，三相功率桥的开关模式也必须满足自举充电的时序需求，最好在每个PWM周期，都留出足够的自举充电时间，此举也因而会造成采用自举供电模式的伺服对于功率母线电压利用率的降低。
因此在一些低端和紧凑型设计中，往往采用自举供电，其原理为在同一桥臂的低端管子饱和导通时，高端管子的隔离电源的地会被拉低到与直流母线地仅相差一个饱和压降的低压态，此时为低端栅极供电的15～18V电压就可以通过“自举二极管”向高端隔离电源的储能“自举电容”充电，等低端管子截至，而高端管子就可以在刚才充电后的“自举电容”的电压供给下后开通，此后高端管子的隔离电源地就被抬升到与直流母线正相差无几的高电压态，此时高端栅极驱动电源完全由“自举电容”提供，与此同时“自举二极管”则起到高端电源与低端电源的高压隔离的作用。
“自举二极管”必须是高耐压的快回复二极管，且必须能够承受自举充电瞬间的大电流冲击，“自举电容”的容量也必须合适，既要能够满足高端电源的负荷能力，又要避免充电瞬间对“自举二极管”的冲击。
需要指出的是，自举供电模式下，三相功率桥的开关模式也必须满足自举充电的时序需求，最好在每个PWM周期，都留出足够的自举充电时间，此举也因而会造成采用自举供电模式的伺服对于功率母线电压利用率的降低。
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