半导体粒子射线探测器semiconductor particle detector

用于检出高能粒子( α 射线、β 射线),强度的半导体敏感元件。它通常做成PN结、表面势垒、PIN结等结构形式，使入射的粒子射线转换成电荷脉冲进行检测。

半导体放射线检测器semiconductor radiation detector

用于检出放射线粒子数量(即放射线强度)的半导体射线敏感元件。它通常由半导体材料(Si、Ge)制成PIN结构形式，可将放射线( γ 射线、X 射线等)粒子转换成电荷脉冲进行检测。

射线敏感元件radiation sensor;radiation-electric signal transducer

对放射线( X 射线、γ 射线)、粒子射线( α 射线、β 射线)等信息或能量具有响应和转换功能的敏感元件。

防雷用电压敏电阻器arrester varistor

用于吸收大气过电压的压敏电阻器。

消磁电压敏电阻器anti-magnetized varistor

用来消除励磁电路中因被切断而储存的能量的压敏电阻器。

消噪电压敏电阻器noise suppressing varistor

用来消除电噪声的电压敏电阻器。

消弧电压敏电阻器arc suppressing varistor

用来消除各种型式的继电器火花、开关电弧的电压敏电阻器。

高频电压敏电阻器high frequency varistor

在载波机等较高频率的电子设备中作为过电压吸收的压敏电阻器。

高能电压敏电阻器high energy varistor

单位体积内吸收能量大的电压敏电阻器。

过电压保护电压敏电阻器over voltage protection varistor

用于抑制过电压的电压敏电阻器。

稳压电压敏电阻器stabilized voltage varistor

利用非线性特性对电子线路输出电压起稳定作用的电压敏电阻器。

膜式电压敏电阻器film varistor

由薄膜构成电阻体的电压敏电阻器。

单颗粒层电压敏电阻器single grain layer varistor 

将碳化硅、硅等半导体颗粒单层排列在一个平面内且彼此绝缘，每个颗粒的上下两面都与电极相接触而构成的电压敏电阻器。

结型氧化锌电压敏电阻器junction type zinc oxide varistor

由氧化锌电阻体与金属电极之间的非欧姆接触而形成非线性特性的电压敏电阻器。

体型氧化锌电压敏电阻器bulk zinc oxide varistor

两电极与电阻体之间呈欧姆接触，由电阻体内大量氧化锌颗粒之间的界面层形成非线性特性的电压敏电阻器。

氧化锌电压敏电阻器zinc oxide varistor

电阻材料以氧化锌为主，添加适当的其他金属氧化物并用一般陶瓷工艺制成的电压敏电阻器。

碳化硅电压敏电阻器silicon carbride varistor

电阻体材料以碳化硅为主，用一般陶瓷工艺制成的电压敏电阻器。

电压敏电阻器varistor;voltage-dependent resitotr

在正常条件下，当电压超过某一临界值时，电流随电压升高而急剧增加的半导体非线性电阻器。

电阻式湿敏元件resistive moisture sensor

电阻值随相对湿度变化而改变的湿敏元件。

电容式湿敏元件capacitive moisture sensor

电容量随相对湿度变化而改变的湿敏元件。

湿敏元件moisture sensor 

对环境湿度(水蒸气)具有响应和转换功能的敏感元件。可用Ge、Se、氧化物半导体等材料制成。

复合氧化物系气敏元件compound oxide series gas sensor

以稀土和过渡金属复合氧化物为基体材料制成的气敏元件。

SnO\-2系气敏元件tin oxide series gas sensor

以SnO\-2为基体材料加入适量掺杂剂制成的气敏元件。

烧结式气敏元件sintered gas sensor

将一定配比的气敏材料、掺杂剂和粘合剂，经混合、研磨制成浆料，然后滴入模具(事先已放好Pt丝)或涂在电极上自然干燥或压模成型，在一定温度下烧结而成的气敏元件。

薄膜式气敏元件thin film gas sensor

利用蒸发或溅射法在绝缘基片上淀积气敏性氧化物薄膜而制成的气敏元件。

硅单晶气敏元件silicon crystal gas sensor

利用光刻和化学腐蚀技术在硅单晶基片上制成的气敏元件。它具有微型化和集成化的特点。

P型氧化物气敏元件P-type oxide gas sensor

由P型氧化物材料(NiO、CoO、Cr\-2O\-3等)制成的气敏元件。P型气敏元件吸附氧化性气体时，其电阻值下降；而吸附还原性气体时，其电阻值增高。

N型氧化物气敏元件N-type oxide gas sensor

由N型氧化物材料(ZnO、SnO\-TiO\-2等)制成的气敏元件。N型氧化物气敏元件吸附还原性气体时，其电阻值下降；而吸附氧化性气体时，其电阻值增高。

气敏元件gas sensor

对环境气体具有响应和转换功能的敏感元件。气敏元件大多由非化学配比的金属氧化物材料制成，其电阻值随表面吸附气体的种类和吸附量而发生相应变化。用于有毒气体、可燃气体及其他气体的报警、检漏、定量检测等。

光电磁敏元件photoelectro magnetic(PEM) element

利用半导体的光电磁敏效应制成的检测红外线和热辐射的敏感元件。可用于监控铁路车轮或制动器的发热状况。最小探测功率为10\+\{-9\}～10\+\{-10\}瓦。

注：光电磁敏效应是指，当光生载流子在半导体(Insb)内因扩散而流动时，在外加磁场形成的霍尔效应作用下可在电极间产生电动势的效应。

磁敏晶体管magnetic transistor

具有晶体管结构的电流型磁电转换器件。其灵敏度是磁敏二极管的几倍至十几倍。

磁敏二极管magnatic diode

其电阻值随磁场方向与大小有显著变化的二极管。

磁敏电阻器magnetic resistor

半导体的电阻值随外加磁场强度平方成正比例变化的电阻器。与霍尔元件相比，可检测较强的磁场强度(大于1千高斯)，可用作无触点可变电阻器。

霍尔集成电路Hall integrated circuit

将霍尔元件和放大器等元件制作在同一块半导体基片上的集成电路。

霍尔调制器Hall modulator

为信号调制目的而特殊设计的霍尔元件。

霍尔探头Hall probe

为测量磁场强度而特殊设计的霍尔元件。

霍尔乘法器Hall multiplier

利用霍尔元件的输出电压VH与外加磁场强度H和控制电流I乘积成正比的关系而构成的乘法器。可用作信号调制器。

霍尔元件Hall element

又称霍尔效应器件(Hall effet device)利用半导体霍尔效应制成的磁敏元件。主要用于磁场强度的测量和磁滞信号的接收等。

注：在半导体或金属制成的长方体内，如果在X方向上通以电流、在Z方向上施加磁场强度Hz，那么在垂直于两者