EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）是非易失性存储器，在DDR3速度下具有非挥发性和高耐久性。该设备能够以高达1333MT /秒/引脚的速率进行DDR3操作。它的设计符合所有DDR3 DRAM功能，包括设备端接（ODT）和内部ZQ校准，但具有数据持久性和极高的写周期耐久性的优点。借助Spin-Torque MRAM技术，不需要刷新单元，从而大大简化了系统设计并减少了开销。
 
所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步，输入锁存在时钟交叉点。 I/O与一对双向选通脉冲（DQS，DQS）同步。该器件使用RAS / CAS多路复用方案，并在1.5V下工作。
 
特征
•非易失性256Mb（32Mb x 8，16Mb x 16）DDR3
•支持标准DDR3 SDRAM功能
•VDD = 1.5v +/- 0.075v
•高达667MHz fCK（1333MT /秒/针）
•页面大小为512位（x8）或1024位（x16）
•设备上终止
•片上DLL将DQ，DQS，DQS转换与CK转换对齐
•所有地址和控制输入均在时钟的上升沿锁存
•突发长度为8，可编程突发斩波长度为4
•标准10x13mm 78球（x8）或96球（x16）BGA封装
 
DDR3 DRAM兼容性
Everspin DDR3自旋扭矩MRAM与JEDEC标准JESD79-3F中定义的DRAM操作的DDR3标准完全兼容，但本数据表中已指出和定义的例外和改进之处。
•自旋扭矩MRAM是非易失性存储器。无论何时出于任何原因断开设备电源，已关闭/预充电存储区中的所有数据都将保留在内存中。
•在某些情况下，命令时间会有所不同。
•DDR3标准适用于高于256Mb的密度，从而导致寻址和页面大小差异。
•突发类型/突发顺序仅支持CA <2：0 = 000或100的连续突发类型。
•当MRAM与本标准之间的功能，时序，参数或条件相同时。