什么是MRAM？

MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术（MRAM设备是Spintronics设备）。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车，工业，军事和太空应用，这些对于MRAM开发人员来说是重要的部分。

本篇文章主要介绍关于Everspin MRAM常见问题

 
Everspin是否正在开发工艺/技术解决方案以增强对磁场的抵抗力？
Everspin MRAM标准产品的磁屏蔽在所有常规应用中均具有出色的抗电磁干扰能力。Everspin将一直在寻找增加对外部磁场的抵抗力的方法，只要开发出具有更高抵抗力的合格产品，就会宣布变化。产品数据表中提供了针对任何产品的特定抗扰度规格。
 
MRAM如何受到外部磁场的影响？
Everspin MRAM可以承受的最大外部磁场而没有影响取决于设备的工作状态。对于最大可承受的外部磁场，指定了两种不同的绝对最大磁场规格。Hmax_write是数据编程期间可容许的最大外部磁场。Hmax_read是读操作，待机模式或无电（无写）操作期间可承受的最大外部磁场。这些参数的特定值在所有Everspin MRAM器件的数据手册中给出。
 
在磁碟周围使用磁性工具
我可以在MRAM附近使用磁化工具吗？
典型的磁化工具，例如带有磁性钻头的螺丝刀，可以在未通电的MRAM周围安全使用，而不会产生任何负面影响，只要该工具与MRAM装置保持至少一毫米的距离即可。应注意避免与MRAM封装直接接触。与任何电子组件一样，不建议在有源电路附近使用工具。
 
MRAM的磁场规格与硬盘驱动器的磁场规格相比如何？
Everspin MRAM具有与硬盘驱动器相当的绝对最大磁场规格。