背压法是真空系统检漏中的基础方法之一，结合了压力检漏与真空检漏两者的特点。氦质谱检漏中，背压法的应用原理也是一样的，今天就和华尔升智控一起看下氦质谱检漏方法中的背压法。

背压氦质谱检漏法是一种适用于容积较小被检件的检漏方法，例如半导体一类真空密封器件的无损检漏。它的检漏过程与其他背压法一样包括3个步骤：充压、净化、检漏。

充压过程中，被检件在充有高压氦气的容器中存放一定时间，使氦气经漏孔进入被检件内部，并随着时间的增长，其内部的充气压力及氦分压会逐渐增高；进入净化阶段后，用干燥氮气等冲刷，或通过静置手段去除吸附在被检件外表面的氦气；最后将被检件放入真空室并将真空室抽成真空状态，利用压差作用使被检件内部的氦气流出进入检漏仪，检漏仪输出指示判定漏孔的存在及其漏率。

根据华尔升智控简述的流程，相信不少人可以看出背压法不适合用于有大漏孔的被检件。因为如果漏孔过大，在净化阶段，充入被检件内部的氦气会流失得很快，净化的时间越长，流失得就越严重，最后会导致检漏仪的输出指示降低，造成漏孔漏率很小的假象，甚至检测不出漏孔。因此在使用背压氦质谱检漏法时，除了避免用于大漏孔的被检件检漏外，还要注意适当增高充气压力、延长在高压氦气中的浸泡时间，同时缩短净化时间，来提高检漏灵敏度。