Everspin在磁存储器设计，制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有600多项有效专利和申请的知识产权，在平面和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面均处于市场领先地位。

Everspin与GlobalFoundries有合作的历史，并且通过不断地调整配方，在工厂中进行微调制造已有十多年了。能够迅速增加知识并将其转移到GlobalFoundries。在生产中有两种类型的MRAM-触发MRAM和STT MRAM，后者确实需要启用控制器或FPGA。

Everspin将继续发展生态系统，以支持STT市场，并提供简单，快速的上市时间实施以及在市场上采用旋转扭矩。

Everspin MRAM在生产中有两种类型的MRAM。STT-MRAM需要启用控制器或FPGA，该公司正在通过合作伙伴关系不断发展其生态系统。

在去年闪存峰会上，Everspin宣布了多项合作伙伴关系：Phison Electronics和Sage Microelectronics将为其1 Gb STT-MRAM存储器提供本地支持，而Cadence Design Systems将为Everspin的1 Gb提供DDR4设计IP和验证IP（VIP）支持。 STT-MRAM。这些合作将使系统设计人员可以选择使用标准控制器，使用FPGA设计或构建自己的SoC / ASIC，从而在产品中使用STT-MRAM。

Coughlin支持MRAM的生态系统将有助于降低其成本。拥有能够管理包含MRAM的设备的第三方控制器，将有助于更多公司参与其系统中使用MRAM，从而提高MRAM的整体产量和需求，并降低MRAM存储器的成本。认为嵌入式应用程序中MRAM的潜力最大。将MRAM转移到嵌入式应用程序将迫使代工厂将MRAM制造转移到传统的CMOS器件制造中。这既有挑战，也为MRAM及其使用的成本提供了巨大的机会。

价格会影响采用哪种内存，表示如果价格偏高而导致总体拥有成本降低，则MRAM不一定要比现有选件便宜。认为MRAM遵循SSD的采用方式，因为它们比硬盘贵得多，但由于它们具有在某些应用中有价值的功能，因此能够开拓新市场。客户发现，存在高于比特成本的价值。这是总拥有成本的故事。可以明确表示并有理由支付比现有技术更高的MRAM。