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薄膜电容介质的耐压
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jec1688 个人主页 给TA发消息 加TA为好友 发表于:2020-01-17 09:00:25 楼主

薄膜电容具有无极性,绝缘阻抗很高,频率特性优异(频率响应宽广),介质损失很小等优点,基于以上的优点,薄膜电容器被大量使用在模拟电路上。那么薄膜电容介质的耐压损伤是怎样的呢?下面跟大家谈谈。

由于电容介质中局部弱点处的损耗D值很大,在不均匀的高场强下就会产生很大局部热量而损伤介质。而施加直流电压时,热量仅由漏电产生,尤其对于新生产的电容器来说,一般其绝缘电阻很高,漏泄电流很小,造成局部过热损伤的可能性非常小。

另外如果施加的交流电压达到起始局部放电电压值,局部放电会每半个周期就要重复和恶化而造成局部损伤。而在直流电压下即使有起始局部放电要等电荷消散后重新积聚才能产生局部放电。综上可以得出,流耐压对电容介质可能造成严重损伤而直流耐压对于薄膜电容器基本可以说是无损伤检测或者至少是损伤很少的检测方法。

关键词:薄膜电容

摘要:由于电容介质中局部弱点处的损耗D值很大,在不均匀的高场强下就会产生很大局部热量而损伤介质。流耐压对电容介质可能造成严重损伤而直流耐压对于薄膜电容器基本可以说是无损伤检测或者至少是损伤很少的检测方法。


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