变频电源IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是有BJT（双极结型晶体管）和MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应管）组成的复合全控型电压驱动式半导体器件，它兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两个方面的优点。GTR（电力晶体管，是一种双极型大功率、高反压晶体管，其功率非常大，因此又被称为巨型晶体管，简称GTR）的饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。而变频电源电路采用IGBT综合了以上两种元器件的优点，即驱动功率小而饱和压降低。

IGBT变频电源的性能指标

变频电源IGBT的开关损耗包括关断损耗和开通损耗。常温下，变频电源IGBT的关断损耗和MOSFET差不多。其开通损耗平均比MOSFET略小，且它与温度关系不大，但每增加100℃,其值增加2倍。两种器件的开关损耗和电流相关，电流越大，损耗越大。

变频电源采用IGBT的优势

与MOSFET的BJT相比，变频电源采用IGBT的主要优势如以下几点:

1）变频电源IGBT有一个非常低的通态压降，且由于它具有优异的电导调制能力和较大的通态电流密度，使得更小的芯片尺寸和更低的功耗成为可能。

2）MOS栅结构使得IGBT有较低的驱动电压，且只需要简单的外围驱动电路；与BJT和晶闸管相比较，它能更容易地使用在高电压大电流的电路中。

3）它有比较宽的安全操作区，且具有比双极型晶体管更优良的电流传导能力，也有良好的正向和反向阻断能力。