IGBT/MOSFET驱动光耦TLP352（新型号）

TLP352是可直接驱动中等容量IGBT或者功率MOSFET的DIP8封装的IC耦合器。该产品的最大延迟时间为200 ns，光电耦合器之间的传输延迟时间差(PDD*) 为90 ns(上述延迟时间均为工作温度范围内的保证值), 能够减少停滞时间，提高变频电路的效率。该产品采用的是使用寿命非常长的新型LED，因此其工作温度范围较大，在-40°C到125°C之间。该产品适用于许多设备，包括极端热环境下使用的工业设备、家用光电动力系统、数字家用电器、测量装置和控制装置。

TLP352参数：

电源电压：15 to 30 V

电源电流：3.0mA

温度：-40 to 125 ℃

传播延迟时间：0.2

隔离电压：3750Vrms

PKG(包装)：DIP8

TLP352特征：

传输延迟时间: tpLH,tpHL=200ns (最大)

耦合器之间的传输延迟时间差(PDD) = ±90ns (最大)

工作温度范围大: Topr = −40°C到125°C

峰值输出电流: IOP = ±2.5A (最大)

低输入电流: IFHL = 5mA (最大)

耐压: BVs = 3750Vrms (最小)

TLP352应用:

交流伺服放大器

功率调节器

通用变频器

IH(感应加热)

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