可控硅坏了，怎样判断 点击：7939 | 回复：11
发表于：2007-11-25 18:52:00
1楼
可控硅（SCR）国际通用名称为Thyyistoy，中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条件下工作，具有耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率开关型半导体器件，广泛应用在电力、电子线路中。
1. 可控硅的特性。 可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。
只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极 A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K 间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。
双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。
2. 单向可控硅的检测。
万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极 K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
3. 双向可控硅的检测。
用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将 A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。
检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。
晶闸管(可控硅)的管脚判别 晶闸管管脚的判别可用下述方法： 先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。再将万用表置于 R*10K挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极。[url=http://www.quick-sine.com/cn/showsc.asp?lanmuid=0&id=39]http://www.quick-sine.com/cn/showsc.asp?lanmuid=0&id=39[/url]
1. 可控硅的特性。 可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。
只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极 A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K 间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。
双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。
2. 单向可控硅的检测。
万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极 K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
3. 双向可控硅的检测。
用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将 A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。
检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。
晶闸管(可控硅)的管脚判别 晶闸管管脚的判别可用下述方法： 先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。再将万用表置于 R*10K挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极。[url=http://www.quick-sine.com/cn/showsc.asp?lanmuid=0&id=39]http://www.quick-sine.com/cn/showsc.asp?lanmuid=0&id=39[/url]
发表于：2007-11-28 15:23:00
6楼
可控硅坏了怎么识别是得学,怎样防止可控硅的损坏也有必要了解一下,晶闸管具有弱电控制强电输出的特点，在变流系统中得到了广泛的应用。但晶闸管的过载能力差，短时间的过电压和过电流都会导致器件损坏。因此, 在线路设计上必须给晶闸管配备过电压保护装置和过电流保护装置。 鉴于传统的阻容（RC）限压吸能保护装置仅能将操作过电压限制在允许范围内；一旦发生雷击或从电网侵入更高的浪涌电压时仍有可能突破允许值，而且阻容装置存在体积大，成本高，响应速度慢，以及为防止感性负载线路产生谐振的设计复杂等缺点，为此我们研制了新型换代产品――本产品有以下特点：伏安特性曲线陡峭，能有效地将过电压抑制在设定的范围以内；也就是说SEA吸能型多功能过压保护器既可以限制过冲电压，又可以吸收冲击能量。相对于阻容（RC）装置而言具有响应速度快(ns级)，自恢复能力强，自身功耗小（<0.3w），稳定可靠，价格低，体积小，安装维修方便，寿命长等优点。本装置结构设计独特，与国际同类产品性能，安装尺寸兼容，产品材料采用耐高温环保材料（高温云母）。故障状态显，声光报警联动，避免失效运行（供客户选用）。
发表于：2009-09-14 15:46:42
10楼
吸能型晶闸管保护器-鉴于传统常用的过压保护设备—阻容吸收装置、硒堆保护及普通压敏电阻，阻容吸收浪涌能量的能力较差、损耗大、响应速度慢、发热量大、易损坏、且电容器易漏油；硒堆吸收浪涌能量的能力较强、非线性系数较低、损耗大及易发生老化失效；普通压敏电阻通流容量虽大，但能量容量却不大，另外普通压敏电阻冲击电流最大脉冲宽度远远小于大中功率半导体系统实际脉冲电流宽度，所以普通压敏电阻常发生短路或爆炸。
SPD吸能型过压保护器及吸收箱(国家专利号: 200720070747.X)是传统的过压保护设备的新型更新换代产品,采用以纳米材料添加研制的高能氧化锌压敏阀片作为主功能件,其结构由氧化锌微结晶及高阻晶界层组成,其电压大小由高阻晶界层串联来决定,而通流量则由它有面积来决定.高阻晶界层是发热体,而氧化锌晶粒具有很大的热容量,是吸热体,它决定能量承受能力. 氧化锌微结晶电阻系数很低(1～10Ωcm);而晶界层的电阻系数很高(1012～13Ωcm);若升高加在电阻上之电压其电阻系数会降到10Ωcm以下.因此高能氧化锌压敏阀片在一定电压下是为绝缘体,但超过电压又成良导体.也就 是说当其在线路的正常工作电压下,其电阻值很高,可认为是开路状态,伏安特性是线性的;当过电压出现时,伏安特性为非线性,其阻值急剧下降,成为过电压的通路, 使电阻两端保持一恒定电压.当电压消失后,其本身电阻值又恢复常态呈高阻值.其具有通流容量大,能量密度大(300～500J/cm3),非线性系数高,残压低,漏电流小,伏安曲线对称/图2(无正负极之分),无续流,响应时间快(ns级)等特点.
电话: 021-28397704
传真: 021-29107473
邮箱: hhcc@021fmks.com
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江涛-业务主管 15900811771 7947362387
上海凡曼库斯电力电子有限公司
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SPD吸能型过压保护器及吸收箱(国家专利号: 200720070747.X)是传统的过压保护设备的新型更新换代产品,采用以纳米材料添加研制的高能氧化锌压敏阀片作为主功能件,其结构由氧化锌微结晶及高阻晶界层组成,其电压大小由高阻晶界层串联来决定,而通流量则由它有面积来决定.高阻晶界层是发热体,而氧化锌晶粒具有很大的热容量,是吸热体,它决定能量承受能力. 氧化锌微结晶电阻系数很低(1～10Ωcm);而晶界层的电阻系数很高(1012～13Ωcm);若升高加在电阻上之电压其电阻系数会降到10Ωcm以下.因此高能氧化锌压敏阀片在一定电压下是为绝缘体,但超过电压又成良导体.也就 是说当其在线路的正常工作电压下,其电阻值很高,可认为是开路状态,伏安特性是线性的;当过电压出现时,伏安特性为非线性,其阻值急剧下降,成为过电压的通路, 使电阻两端保持一恒定电压.当电压消失后,其本身电阻值又恢复常态呈高阻值.其具有通流容量大,能量密度大(300～500J/cm3),非线性系数高,残压低,漏电流小,伏安曲线对称/图2(无正负极之分),无续流,响应时间快(ns级)等特点.
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