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IGBT分析 点击：922 | 回复：4



龙少

    
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发表于：2004-06-30 11:00:00
楼主
各位老大： 如果IGBT的CE穿了，但GE之间还没有完全击穿，这有可能是什么原因造成的！！谢谢各位的赐教先！！！
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上海伍平

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发表于：2004-06-30 13:04:00
1楼
这样呀，很简单呀，阁下通电试一下不就知道了！
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龙少

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发表于：2004-06-30 13:26:00
2楼
先谢谢冬将至！！不好意思！！我不懂什么意思！！他已经穿了，我想推断他穿的原因！！
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远来浪

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发表于：2004-07-07 09:39:00
3楼
IGBT是绝缘栅双极晶体管，他的GE就像是一个MOS管，CE就像是一个晶体三极管，而GE电压就是控制CE导通程度的，如今CE击穿可能是过高的DU/DT或DI/DT引起的齐纳击穿或雪崩击穿，改善吸收电路！或则是GE电压不够，导致CE开通不足，VCE保护又没有，大电流引起高的VCE压降，导致CE损坏！现在应该明白了吗？
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龙少

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发表于：2004-07-08 16:24:00
4楼
谢谢！！！受教了！！
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