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(已结帖)2011-05-08-工控擂台-在三极管组成的放大器中,基本偏置条件是什么? 点击:0 | 回复:21



cqu_rockwell

    
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发表于:2011-04-21 21:24:39
楼主

本擂台来自擂台征集帖,由花开_花落提供:

1、什么是三极管?三极管工作原理?

2、三极管的门电压一般是多少?什么是三极管的穿透电流?

3、在三极管组成的放大器中,基本偏置条件是什么?
 

 

能结合实际例子的回答、原创最多、阐述最全的将得大奖。


下周初结贴,9个最优回帖分别获得20MP、10MP、10MP、10MP、20积分、20积分、20积分、20积分、20积分!

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陈石头

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发表于:2011-04-22 09:04:55
1楼

1、什么是三极管?三极管工作原理?

三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。中间的N区(或N区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电极引线,分别叫基极B、发射极E和集电极C,是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。

三极管工作原理?>>有空再续。
2、三极管的门电压一般是多少?什么是三极管的穿透电流?
三极管的门电压:硅管一般为0.5.锗管约为0.2.
穿透电流就是当基极开路时,集电极和发射极之间的电流

3、在三极管组成的放大器中,基本偏置条件是什么?

在三极管组成的放大器中,基本偏置条件是:发射结正偏;集电结反偏。

一品黄山

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发表于:2011-04-26 17:49:13
2楼
这是两种三极管的示意图。

blueprint

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发表于:2011-04-27 21:22:10
3楼
三极管是一种半导体电子器件,分PNP和NPN两种结构,(N表示在高纯度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。其工作原理就是利用电压产生的电动势,促使多数载流子(电子或空穴)进行移动,进而产生电流,通过两个PN结控制电流的流动。

blueprint

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发表于:2011-04-27 21:24:24
4楼
对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。 当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。

blueprint

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发表于:2011-04-27 21:25:39
5楼
一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流了。

jiaoanpeng

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发表于:2011-04-28 16:23:32
6楼

不管什么型号的三极管,还是什么材质的三极管,我们使用三极管的目的就是希望,通过三极管使弱信号变成强信号,小功率变成大功率。那么说到底这个三极管就是个放大器,这个放大器不仅能放大,而且还要受控,及强信号的大小和变化受弱信号的影响,那么这个三极管就是一个可控的一定放大系数的放大器。

任何一种器件、仪器、设备其受本身制造的限制,都有一个使用范围,只有在这个范围内,这个器件才会稳定的发挥其作用,这就需要一个限定,于是就有了什么最大电压、电流、功率、温度、穿透电流、电压、基本偏置条件。所有这一些限制条件都是经过试验逐步得出的,可以说不同的器件有不同的范围,但是为了能够工业性质的大量生产和使用,我们在研究了几个器件后得出一个较好的适用范围的器件,根据这个较理想的范围制成了一个标准,根据这个标准批量生产这个器件,在根据实际使用效果形成一系列器件标准。

AQD008

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发表于:2011-05-05 07:45:02
7楼

有两种半导体材料焊接,形成两个PN结;分别引出三根导线。加外壳制成的半导体元件。它具有放大作用。工作原理是。基极与反射极正向偏置。发射极与集电极反向偏置。在基极加较小的信号;由于内部结构PN结的扩散作用就可以在集电极得到较大的信号。

三极管的门电压。不同的管电压不同。硅管0.4V;锗管0.2V.;当基极开路时通过集电极与发射极的电流。

基本放大条件;基极与反射极正向偏置。发射极与集电极反向偏置。

jingtao

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发表于:2011-05-05 15:14:07
8楼

1:什么是三极管:

三极管是—种半导体的晶体管,有三个电极,这三个电极分别是基极(用字母b表示),集电极(用字母c表示),发射极(用字母e表示)。也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。 制造时由于不同的组合方式,形成了一种是NPN型的三极管,另一种是PNP型的三极管。

2:三极管的工作原理:
三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。

3:三极管的门电压:硅管一般为0.5伏.锗管约为0.2伏。

4:穿透电流是晶体三极管基极未加正向偏压或开路时 流过集电极-发射极的电流。穿透电流是衡量一个管子好坏的重要指标,穿透电流大,三极管电流中非受控成分大,管子性能差。由于穿透电流是由少子飘移形成,因此受温度影响大,温度上升,穿透电流增大很快。硅管穿透电流极小。

5:基本偏置条件:一个基本放大电路必须有:输入信号源、晶体三极管、输出负载以及直流电源和相应的偏置电路。其中,直流电源和相应的偏置电路用来为晶体三极管提供静态工作点,以保证晶体三极管工作在放大区。拿双极型晶体三极管而言,就是保证发射结正偏,集电结反偏。 输入信号源一般是将非电量变为电量的换能器, 如各种传感器,将声音变换为电信号的话筒,将图像变换为电信号的摄像管等。它所提供的电压信号或电流信号就是基本放大电路的输入信号。

简言之偏置条件 :发射结正偏;集电结反偏。

陈石头

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发表于:2011-05-07 23:17:29
9楼

>>续1楼,三极管工作原理:

PNP 型半导体三极管和NPN 型半导体三极管的基本工作原理完全一样,下面以NPN 型半导体三极管为例来说明其内部的电流传输过程,进而介绍它的工作原理。半导体三极管常用的连接电路如图(a) 所示。半导体三极管内部的电流传输过程如图 (b) 所示。半导体三极管中的电流传输可分为三个阶段。


1 、发射区向基区发射电子
电源接通后,发射结为正向连接。在正向电场作用下,发射区的多数载流子(电子)的扩散运动加强。因此,发射区的电子很容易在外电场的作用下越过发射结进入基区,形成电子流IEN(注意电流的方向与电子运动的方向相反)。当然,基区的多数载流子(空穴)也会在外电场的作用下流向发射区,形成空穴电流IEP。但由于基区的杂质浓度很低,与从发射区来的电子流相比, IEP可以忽略不计,所以发射极电流为:

2、 电子在基区中的扩散与复合
从发射区扩散到基区的电子到达基区后,由于基区靠发射区的一侧电子浓度较大,靠集电区一侧电子浓度较小.所以电子继续向集电区扩散。在扩散过程中,电子有可能与基区的空六相遇而复合,基极电源、EB不断提供空穴,这就形成了基极电流IBN 。由于基区很薄,而空穴浓度低,电子与空穴复合的机会很少,大部分电子继续向集电区扩散。此外,半导体三极管工作时,集电结为反向连接,在反向电场作用下,基区与集电区之间少数载流子的漂移运动加强c 因基区载流子很少.电子更少,故漂移运动主要是集电区的空穴流向基区。漂移运动形成的电流ICBO的数值很小,而且与外加电场的大小关系不大,它被称为集电极反向饱和电流因此,基极电流为


3、 集电极电流的形成
由于集电结加的是反向电场,经过基区继续向集电区方向扩散的电子是逆电场方向的,所以受到拉力,加速流向集电区.形成电子流ICN 。如果考虑集电极饱和电流ICBO的影响,集电极电流应为:



从半导体三极管外电路看,流入管子的电流必须等于流出的电流,所以



从半导体三极管电流传输过程中可以看出,集电极电流IC很大,而基极电流IB很小。另外,由于三极管本身的结构已定,所以IC和IB在相当大的一个范围内总存在一个固定的比例关系,即



其中β表示IC与IB的关系.称为共发射极的直流放大系数,β大于1 ,一般为20 -200 。


由于IC和IB存在一定的比例关系,而且IE=lC+IB, 所以半导体三极管起着一种电流分配器的作用,即把发射极电流IE 按一定的分配关系分成IC和IB。IC远大于IB 。因存在这种分配关系,所以只要使IB略有增加, IC就会增加很多,这就起到了放大作用。


我隨風

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发表于:2011-05-08 18:43:02
10楼

1、什么是三极管?三极管的工作原理?
(1)、晶体三极管简称晶体管或三极管。它按工作频率分有高频管和低频管;按耗散功率分有大、中、小功率管;按半导体材料分有硅管、锗管。
三极管的基本结构是由两个PN结组成,其组成形式有NPN和PNP两种。

晶体三极管有三个区:基区、发射区的集电区;有三个极:基极B、发射极E和集电极C;有两个PN结:分别为基区和发射区之间的发射结、集电区和基区之间的集电结。
(2)、晶体三极管的工作原理
1) 三极管的电流放大原理

 

上图为一NPN管电流放大实验电路,uB> uon(三极管的门电压),即发射结正向偏置,Ucc>Ube,使集电结反向偏置,通过改变电阻RB,则基极电流IB,集电极电流IC及发射极电流IE都发生变化。
IE=IB+IC 且IB远远小于IC、IE,IE≈IC。
IB虽然小,但对IC有控制作用,IC随IB的改变而改变,两者在一定范围内存在比例关系,即β= ,β是三极管电流放大系数,它反映三极管的放大能力。
2) 晶体三极管的开关特性。
晶体三极管有两个PN结,一个是发射结,一个是集电结。根据这两个结的偏置极性,它既可以工作在放大状态,也可以工作在截止或饱和状态。
下图是3DG4的输出特性曲线。

 

在数字逻辑电路中,三极管被作为开关元件工作在饱和状态或截止状态,相当于一个基极信号控制一个无触点开关,其作用相当于一个触点的闭合与断开。当三极管工作在饱和状态时,uB> uon(三极管的门电压),两个PN结均处于正偏,uce=ucc-IcRc,Ic随Ib增大而增大,而uce则相应减小,当uce近似为0时,Ic不再受Ib控制,三极管进入饱和状态,此时Ic=Ics,三极管呈现低阻抗,类似于开关闭合;当三极管工作在截止状态时,uB< uon,两个PN结均处于反偏,三极管呈现高阻抗,类似于开关断开。

我隨風

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发表于:2011-05-08 18:44:05
11楼
2、三极管的门电压一般是多少?什么是三极管的穿透电流?
1) 三极管的门电压uon即三极管开始导通的临界电压,当基、射极所加正向电压ube大于这个临界电压时,开始导通。一般硅管uon=0.5 V,锗管uon=0.2V。
2) 三极管的穿透电流是指晶体三极管基极未加正向偏压或开路时,流过集电极-发射极的电流,它与晶体管的反向电阻和温度有关 ,称作Iceo。
晶体三极管的穿透电流的大小随温度的升高而升高,通过测试Iceo的大小,就可以判断出三极管质量好坏,Iceo大的管子电流损耗大,温度易升高,工作不稳定。Iceo越小越好。在常温下,大功率锗管的Iceo一般在几百微安以下,小功率硅管在几微安以下。
在晶体三极管组成的放大器中,偏置条件如下:
3、在三极管组成的放大器中,基本偏置条件是什么?
三极管的三个极的电流分配关系和放大作用是由其内在特性决定的,在三极管组成的放大器中,它起放大作用的最基本偏置条件就是发射结正向偏置,集电结反向偏置。

燕山雪

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发表于:2011-05-09 11:02:57
12楼
很好的普及型题目。支持一个。

花开_花落

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发表于:2011-05-09 11:18:05
13楼
1、三极管是—种半导体的晶体管,有三个电极,这三个电极分别是基极、集电极、发射极也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。 制造时由于不同的组合方式,形成了一种是NPN型的三极管,另一种是PNP型的三极管。

花开_花落

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发表于:2011-05-09 11:21:13
14楼

2、极管的电流放大作用与其物理结构有关,三极管内部进行的物理过程是十分复杂的,初学者暂时不必去深入探讨。从应用的角度来讲,可以把三极管看作是一个电流分配器。一个三极管制成后,它的三个电流之间的比例关系就大体上确定了(见图 3),用式子来表示就是



β 和 α 称为三极管的电流分配系数,其中 β 值大家比较熟悉,都管它叫电流放大系数。三个电流中,有一个电流发生变化,另外两个电流也会随着按比例地变化。例如,基极电流的变化量 ΔI b = 10 μA , β = 50 ,根据 ΔI c = βΔI b 的关系式,集电极电流的变化量 ΔI c = 50×10 = 500μA ,实现了电流放大。

花开_花落

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发表于:2011-05-09 11:22:56
15楼

3、极管自身并不能把小电流变成大电流,它仅仅起着一种控制作用,控制着电路里的电源,按确定的比例向三极管提供 I b 、 I c 和 I e 这三个电流。为了容易理解,我们还是用水流比喻电流(见图 4)。这是粗、细两根水管,粗的管子内装有闸门,这个闸门是由细的管子中的水量控制着它的开启程度。如果细管子中没有水流,粗管子中的闸门就会关闭。注入细管子中的水量越大,闸门就开得越大,相应地流过粗管子的水就越多,这就体现出“以小控制大,以弱控制强”的道理。由图可见,细管子的水与粗管子的水在下端汇合在一根管子中。三极管的基极 b 、集电极 c 和发射极 e 就对应着图 4 中的细管、粗管和粗细交汇的管子。电路见图 5 ,若给三极管外加一定的电压,就会产生电流 I b 、 I c 和 I e 。调节电位器 RP 改变基极电流 I b , I c 也随之变化。由于 I c = βI b ,所以很小的 I b 控制着比它大 β 倍的 I c 。 I c 不是由三极管产生的,是由电源 V CC 在 I b 的控制下提供的,所以说三极管起着能量转换作用。



zhxl198808

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16楼

1、什么是三极管?三极管工作原理?

三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。中间的N区(或N区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电极引线,分别叫基极B、发射极E和集电极C,是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。

三极管的工作原理-l6Mw1\fyP
三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。:VbS V"Bf[E]
三极管在放大信号时,首先要进入导通状态,即要先建立合适的静态工作点,也叫建立偏置,否则会放大失真。
+N,ivgB 在三极管的集电极与电源之间接一个电阻,可将电流放大转换成电压放大:当基极电压UB升高时,IB变大,IC也变大,IC 在集电极电阻RC的压降也越大,所以三极管集电极电压UC会降低,且UB越高,UC就越低,ΔUC=ΔUB。

2、三极管的门电压一般是多少?什么是三极管的穿透电流?

1) 三极管的门电压uon即三极管开始导通的临界电压,当基、射极所加正向电压ube大于这个临界电压时,开始导通。一般硅管uon=0.5 V,锗管uon=0.2V。 
 2)三极管的穿透电流是指晶体三极管基极未加正向偏压或开路时,流过集电极-发射极的电流,它与晶体管的反向电阻和温度有关 ,称作Iceo。
晶体三极管的穿透电流的大小随温度的升高而升高,通过测试Iceo的大小,就可以判断出三极管质量好坏,Iceo大的管子电流损耗大,温度易升高,工作不稳定。Iceo越小越好。在常温下,大功率锗管的Iceo一般在几百微安以下,小功率硅管在几微安以下。

 

当基极开路时,集电极和发射极之间的电流就是穿透电流:,其中是集电极-基极反向漏电流,都是由少数载流子的运动产生的,所以对温度非常敏感,当温度升高时二者都将急剧增大。从而对放大器产生不利影响。因此在实际工作中要求它们越小越好。

3、在三极管组成的放大器中,基本偏置条件是什么?

发射结正偏;集电结反偏。

花开_花落

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4、三极管的门电压:硅管一般为0.5伏.锗管约为0.2伏.
5、三极管的穿透电流ICEO是表征其工作稳定性优劣的一项重要参数。三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快,ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性,所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。

  通过用万用表直接测量三极管集电极和发射极之间电阻的方法,可间接估计ICEO的大小,具体方法如下:

  万用表电阻挡的量程一般选用R×100或R×1k挡,对于PNP型三极管,黑表管接发射极,红表笔接集电极;对于NPN型三极管,黑表笔接集电极,红表笔接发射极。要求测得的电阻越大越好。集电极和发射极间的阻值越大,说明管子的ICEO越小;反之,所测阻值越小,说明被测管的ICEO越大。一般来说,中、小功率PNP锗管,所得阻值应在几千欧至几百千欧,NPN硅管的阻值为几百千欧至无穷大。

  按上述方法测试,如果发现被测管集电极和发射极间阻值很小或为零,则说明管子集电极和发射极间已经击穿损坏。如果测试时,万用表指针在数十欧位置上来回晃动,则表明ICEO很大,性能不稳定,这样的管子不宜使用。

花开_花落

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6、偏置条件就是:发射结正偏,集电结反偏。不管NPN还是PNP都要如此

浅醉闲眠

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19楼
1、什么是三极管?三极管工作原理?

半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。是在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。中间的N区(或P区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电极引线,分别叫基极B、发射极E和集电极C,是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。

以NPN管为例:对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流了。由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给,从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得:Ie=Ib+Ic 这就是说,在基极补充一个很小的Ib,就可以在集电极上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,Ic与Ib是维持一定的比例关系,即:β1=Ic/Ib 式中:β1--称为直流放大倍数,集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为: β= △Ic/△Ib 式中β--称为交流电流放大倍数,由于低频时β1和β的数值相差不大,所以有时为了方便起见,对两者不作严格区分,β值约为几十至一百多。

2、三极管的门电压一般是多少?什么是三极管的穿透电流?

硅管约为0.7伏;锗管约为0.3伏。当基极开路时,集电极和发射极之间的电流就是穿透电流。

3、在三极管组成的放大器中,基本偏置条件是什么?

在三极管组成的放大器中,基本偏置条件是:发射结正偏;集电结反偏。

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20楼

什么是三极管?            三极管是—种半导体的晶体管,有三个电极,这三个电极分别是基极(用字母b表示),集电极(用字母c表示),发射极(用字母e表示)。也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。 制造时由于不同的组合方式,形成了一种是NPN型的三极管,另一种是PNP型的三极管。

三极管的工作原理?      按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N表示在高纯度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。 当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。 在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流了。 由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给,从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得: Ie=Ib+Ic 这就是说,在基极补充一个很小的Ib,就可以在集电极上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,Ic与Ib是维持一定的比例关系,即: β1=Ic/Ib 式中:β1--称为直流放大倍数, 集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为: β= △Ic/△Ib 式中β--称为交流电流放大倍数,由于低频时β1和β的数值相差不大,所以有时为了方便起见,对两者不作严格区分,β值约为几十至一百多。 三极管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用,通过电阻转变为电压放大作用。 三极管放大时管子内部的工作原理 1、发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流。 2、基区中电子的扩散与复合 电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合,扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。 3、集电区收集电子 由于集电结外加反向电压很大,这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散,同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动,流向基区形成反向饱和电流,用Icbo来表示,其数值很小,但对温度却异常敏感。

三极管的门电压一般是多少?      硅管一般为0.5伏.锗管约为0.2伏.

 

什么是三极管的穿透电流?         三极管的穿透电流是指晶体三极管基极未加正向偏压或开路时,流过集电极-发射极的电流,它与晶体管的反向电阻和温度有关 ,称作Iceo。

 

在三极管组成的放大器中,基本偏置条件是什么?           三极管的三个极的电流分配关系和放大作用是由其内在特性决定的,在三极管组成的放大器中,它起放大作用的最基本偏置条件就是发射结正向偏置,集电结反向偏置。


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