可控硅过零信号的不同取法的区别 点击：1531 | 回复：2
发表于：2011-02-10 10:18:02
楼主
可控硅过零触发一个重要问题就是过零信号的采集，我看了很多网页大致就三种方式，有哪位大师谈谈之间的不同及优缺点
1、电源电压，取单相过零信号或三相电的线电压过零信号，一般用同步变压器来取，此过零信号与电网过零信号完全同步，适用于阻性负载，且在主回路不上电的情况下可以输出触发信号，便于调试。
2、可控硅两端取同步信号。一般用光耦取。此方法过零信号与实际可控硅两端电压同步，适用于感性或容性负载下，缺点就是主回事必须上电，控制回路才能输出触发脉冲。
3、电源电压+主回路电流。用同步变压器+电流互感器的方式，通过单片机选择两种过零信号中的一个，适用于感性或容性负载下，功率因数非常低时
我的了解就这么多，有博学的师傅们可以补充一下，各种方式下的同步信号的相位关系或波形图的比较。
发表于：2011-02-11 12:37:41
2楼
二楼己经算是博学了，三种方法都用在实际应用中了，很多人最多用一两种，
就是不知道第二种方法时，楼上有没有测过，在感应负载下（软启动器）可控两端过零信号与电源真正的过零信号有什么相位关系，重载轻载会变化吗？容性负载（无功补偿）下呢？
第三种方法，是测电流，应该是不分负载类型，阻感容都可以，测电流，以最根本的方式看可控硅有没有关断，好进行下一轮控制。这种方法在第一次开通的时候没信号，只能先电压过零触发，第二周开始就可以电流过零触发，没用过这种方式，可以细说一下有什么特点及优缺点。
感性负载越是轻载（电机空转），功率因数越小，应该越难控制，越重载越接近阻性越好控制，是这样吗？
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