在很多制冷设备，传感器，led灯采用氧化铝陶瓷电路板实现啊较好的散热性能和电器性能，在行业内备受关注。氮化铝陶瓷电路板性能更胜一筹，在大功率模组、高频陶瓷、以及IGBT等多用氮化铝陶瓷基板。下面将一些氮化铝陶瓷电路板的优越性。

氮化铝陶瓷基电路板是良好的耐热冲击材料

氮化铝陶瓷最高可稳定到2200℃。室温强度高，且强度随温度的升高下降较慢。导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强，是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。氮化铝还是电绝缘体，介电性能良好，用作电器元件也很有希望。砷化镓表面的氮化铝涂层，能保护它在退火时免受离子的注入。氮化铝陶瓷电路板还是由六方氮化硼转变为立方氮化硼的催化剂。室温下与水缓慢反应.可由铝粉在氨或氮气氛中800~1000℃合成，产物为白色到灰蓝色粉末。或由Al2O3-C-N2体系在1600~1750℃反应合成，产物为灰白色粉末。或氯化铝与氨经气相反应制得.涂层可由AlCl3-NH3体系通过气相沉积法合成。往往我们所熟知的就是AlN+3H2O==催化剂===Al（OH）3↓+NH3↑。

AIN氮化铝陶瓷电路板的优越性如下：

( 1)热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；

(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；

(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良；

(4)机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结；

(5)纯度高；

(6)光传输特性好；

(7)无毒；

(8)可采用流延工艺制作。是一种很有前途的高功率集成电路基片和包装材料。

氮化铝陶瓷电路板优越性能还是很出众的，满足了更多高集成电路的需求。更多氮化铝陶瓷电路板的问题可以咨询金瑞欣特种电路。