为大家介绍一款新型存储器，号称为非易失的RAM存储器。大家了解一下。

铁电技术：以下是铁电存储器与传统存储器的区别。

一：易失性的存储器包括静态存储器SRAM和动态存储器DRAM。
优点：读写速度快，读写寿命无次数限止。
缺点：掉电会丢失数据。

二：现在非易失性存储器包括EEPROM和Flash，不过它们都是在ROM技术上发展而成的。
优点：掉电数据会保存。
缺点：写入时间慢（一般每写入一次，需要一个5至10毫秒时间的缓冲或预冲）
高压写入（内部都要12V至24V的高写入电压）
功耗大
读写有次数限止（EEPROM是100万次，FLASH是10万次）

三：铁电存储器包括了RAM和ROM的所有优点。（可以说铁电是一种掉电数据保存的RAM）
优点：读写速度快（最高可达纳秒级的）
读写次数最低为100亿次（高电压工作为100亿次，低电压为无限次）
低功耗（不需要高压写入）
掉电数据不丢失（保存10年）
在产品上可以直接替换普通的EEPRMO或RAM。

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