MR4A16B是一个16,777,216位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，组织为1,048,576个16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35 ns读/写时序，具有无限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路会在掉电时自动保护数据，以防止电压超出规格的写入。为了简化容错设计，MR4A16B包含内部单个纠错码，每64个数据位具有7个ECC奇偶校验位。对于必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用，MR4A16B是理想的存储器解决方案。
 
MR4A16B提供小尺寸的48引脚球栅阵列（BGA）封装和54引脚的薄型薄型外形封装（TSOP Type 2）。这些封装与类似的低功耗SRAM产品和其他非易失性RAM产品兼容。MR4A16B在很宽的温度范围内提供了高度可靠的数据存储。该产品提供商业温度（0至+70°C）和工业温度（-40至+85°C）工作温度选项。最新的Everspin产品信息及选购，请接洽代理宇芯电子销售。
 
MR4A16B 1M x 16 MRAM
•+3.3伏电源
•35 ns的快速读写周期
•SRAM兼容时序
•无限的读写耐久性
•温度下，数据始终保持非易失性超过20年
•符合RoHS要求的小尺寸BGA和TSOP2封装
•所有产品均符合MSL-3湿度敏感度标准
•一个存储器取代了系统中的FLASH，sram，EEPROM和BBSRAM，从而实现了更简单，更高效的设计
•通过更换电池供电的SRAM来提高可靠性