从直流无刷电机的工作原理分析可知，对其功率开光器件的要求主要有以下几点：

1. 满足系统电压、电流、电流值的要求，并有一定的裕量；

2. 尽可能的导通压降和关断后的漏电流，以减低系统损耗；

3. 足够的安全工作区

4. 尽可能高的开关速度和进可能低的开关损耗；

5. 尽可能小的驱动效率

6. 尽可能简单的驱动电路，使开光管及驱动电路的成本尽可能高。

本调速系统中，直流无刷电机功率器件工作在硬开关工作方式下，且开关频率比较高，因此应选择全控制型功率开关器件。常见的功率开关器件有：GTR、GTO、功率MOSFET、IGBT等，它们在耐压、容量、开关速度等方面的差异很大。MOSFET具有高速开光特性、栅极电压控制和无二次击穿特点，但是普通的MOSFET在高电压大电流工作时，导通电阻较大，器件发热严重，输出功率下降，从而使得单只MOSFET的容量比较低，因此主要应用于小功率场合。双极型大功率晶体管在大电流导通时电阻很小，但直流无刷电机由于是电流驱动型器件，要求较大的驱动功率，其开关速度也愿不如MOSFET。IGBT则是集MOSFET电压控制与双极型大功率晶体管的大电流、低导通电阻的特点一体的新型复合场控器件，同时还保持了高速、低开关损耗、对温度不敏感等特点。相同面积芯片控制的IGBT其最大输出电流可比MOSFET的输出电流增加2倍以上。

为满足直流无刷电机以上功率关器件要求，并根据系统耐压为220V,电机额定电流7.57A，开关频率50/60HZ的要求，选择复合型功率开关远近啊IXGH332N60C，内部不带续流二极管。