静态随机存取存储器（SRAM，Static Random-Access Memory）一般是由6个晶体管组合而成（6T)。其中，每一比特(Bit)储存是4个晶体管构成两个交叉耦合的反相器中，另外两个晶体管则是储存基本单元用于读写的位线的控制开关。SRAM的特性就是只要保持通电，里面储存的数据就会一直存在，相较于动态随机存取存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)需要周期性地刷新，SRAM的功耗更低，更为容易控制。

因为SRAM的裸晶体积比其它存储芯片都来的大，成本结构的问题让SRAM的容量一直无法得到显著的提升，所以Pseudo SRAM虚拟静态随机存取存储器便应运而生。和一般的静态随机存取存储器结构的不同，虚拟静态随机存取存储器其实是一种以DRAM为核心，外接电路使用SRAM接口的存储器，这样的设计可以大幅增加存取的速度，而且还能缩提高存储容量，可以容量要求越来越大的问题。虚拟静态随机存取存储器和一般的静态随机存取存储器最大的不同是，虚拟静态随机存取存储器的设计是单晶体管单阻变存储器(1T1R)，因为它的组成只有一个晶体管，所以它的面积尺寸比6T的传统静态随机存取存储器小很多，这也是为什么Pseudo SRAM虚拟静态随机存取存储器的价格和一般SRAM静态随机存取存储器有很大差距的原因。

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