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为了改善光电检测器响应速度和转换效率,为此在制造时,在P型材料和N型材料之间加一层轻掺杂的N型材料,称为I(Intrinsic本征的)层,如图3.12所示。由于是轻掺杂,故电子浓度很低,经扩散作用可形成一个很宽的耗尽层。
另外,为降低P-N结两端的接触电阻,以便与外电路联接,将两端的材料做成重掺杂的P+ 层 和N+层。