当磁敏二极管未受到外界磁场作用时,外加正偏压,如图(a)所示,则有大量的空穴从P区通过I区进入N区,同时也有大量电子注入P区,形成电流。只有少量电子和空穴在I区复合掉。
当磁敏二极管受到外界磁场H’(正向磁场)作用时,如图(b)所示,则电子和空穴受到洛伦兹力的作用而向r区偏转,由于r区的电子和空穴复合消失速度比光滑面I区快,因此形成的电流因复合速度快而成小。
当磁敏二极管受到外界磁场H—(反向磁场)作用时,如图(c)所示,电子— 空穴对受到洛伦兹力作用向光滑面偏转,电子—空穴的复合率明显威小,因而形成的电流变大。(磁敏二极管反向偏置时,仅流过很微小电流,几乎与磁场无关。)
利用磁敏二极管在磁场强度的变化下,其电流发生变化,便可实现磁电转换.而且由上可见腐复合面与光滑面的复合串差别愈大,磁敏二极管的灵敏度也就越高。