绝缘栅双极晶体管（ IGBT ）将MOS栅极易驱动性和低传导损耗结合在一起，并正在迅速取代功率双极晶体管作为高电流和高电压应用设备的选择。艰难的在开关速度和导通损耗之间权衡，这种境况现在正被很好的转变，IGBT正在蚕食高频率，高效率的功率MOSFET领地。事实上，行业的趋势是在除了非常低电流的应用以外，用IGBT取代功率MOSFET。第1部分可以帮助您了解权衡与选择IGBT器件，并且相对容易的概述IGBT技术及应用。第2部分提供了一个例子详细的介绍了IGBT的资料信息。

如何选择IGBT

本节是有意摆在技术讲解之前的。回答下列的重要问题，将有助于为特定的应用选择适当的IGBT。非穿通（NPT）和穿通(PT)器件之间的差异，以及术语和图表将稍后解释。

1. 什么是工作电压？ IGBT的关断电压最高应不超过VCES的80%。

2. 这是硬或软开关？PT器件更适合于软开关，因其可以减少尾电流，但是，NPT器件将一直工作。

3.流过IGBT的电流都有什么？首先用简短的语言对用到的电流做一个大致的介绍。对于硬开关应用，频率—电流图很有用，可帮助确定器件是否适合应用。在应用时需要考虑到数据表由于测试条件不同而存在的差异，如何做到这一点稍后将有一个例子。对于软开关应用，可从IC2开始着手。

4.什么是理想的开关速度？如果答案是“更高，更好”，那么PT器件是最好的选择。同样，使用频率—电流图可以帮助选择硬开关应用的器件。

5.短路承受能力必要吗？对于应用如马达驱动器，答案是肯定的，而且开关频率也往往是相对较低。这时将需要NPT器件。开关电源往往不需要短路耐受力。

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