zhenfeng0925
小文
按照反电势负载考虑,每只可控硅通过的电流为 I=0.578Id 。工程计算按I=0.6Id 应为660A。
考虑到一般直流调速系统应有2-2.5倍过流能力,电流应选660*3*1.11/1.57=1400A以上(考虑波形系数)
可控硅额定电压一般选额定电压的2.5-3倍,660*3=1980V以上的耐压。
交流回路快熔选660*1.15=759 800A的快熔就可以了。
不好意思,交流侧快熔计算有错,应当按照直流负载3倍额定电流来选择1108*3/1.73=1921A。
选2000A的快熔就可以了。
温州建敏
武炜华
按可控硅整流系统设计要求,应当具备2-2.5倍的过电流负荷能力,一般为30-90秒。考虑到发热和安全裕量,因此选择3倍额定负荷的可控硅。1.11/1.57的意思是按照半波整流效能对应的波形系数。因此实际电流选择是660*3*1.11/1.57=1400。
选择1200A的可控硅也可以,只是负载为持续重载或冲击性负载时有点偏小,注意加强通风。
小文老师,为什么在计算电流时用的是660?
经过查询资料得知:三相全控桥式整流电路带大电感负载时k=0.367,故有: IT(AV)=(1.5~2)*k*Id=(1.5~2)*0.367*1108A=610~813A 因此,按照我的计算,1200A的可控硅应该能够满足。请小文老师指教!
为什么要“按照半波整流效能对应的波形系数”选取而不是全波?
白杨
ytg93524
sutingyue
纯属纸上谈兵的一群人,误人子弟。三相全控桥的管子承受最大耐压是根号六倍的额定电压。电流算法是1/3Id*波形系数*1.5~2倍的过载。这是国家标准。