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MOSFET为什么很烫？ 点击：2262 | 回复：19



jiayan

    
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发表于：2007-07-23 16:11:00
楼主

我用40A 导通电阻为0.27欧的MOSFET（或IGBT）来调节电压，驱动用TLP250 负载为250W，24V，电流=10A加了长70mm*宽50mm*高30mm 带翅片的散热器，在室温下温度有50度左右。和以前用可控硅(长45mm*宽40mm*高12mm 两边翅片的散热器)要高许多，请问这种情况是否正常？我是觉得不应有那么高，但不知道是驱动有问题还是管选小了。请有这方面经验的给点帮助！
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张智勇

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发表于：2007-07-23 16:22:00
1楼
P=I*I*R
I=250W/24VP=10A多，就按10A好计算
P=10A*10A*0.27欧姆＝27W
高，你选用的场效应管导通电阻太大
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张智勇

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发表于：2007-07-23 16:31:00
2楼
型号 PTOT(W) ID(A) Rom( Ω） Vds(V) 
SGSP579 150 5 0.7 500 
SGSP575 150 6  0.6  400 
TM7N45 150 7  1.5  450  
TM5N60 150 5  2.5  600  
TM45N15 250 45 0.1 150 
TM45N20 250 45  0.16  200 
TM8N10 75 8 0.5 100 
TM8P10 75 8  0.5  100  
SGSP478 150 5 1.0 550 
SGSP578 150 5  1.0  550  
TP10N12 100 10 0.3 120 
TP10N20 100 10  0.6  200  
TP5N05 50 5 0.8 50 
TP5N06 50 5  0.8  60  
SGSP574 150 6 0.7 450 
TM60N05 250 60  0.06  50  
SGSP101 15 0.75 1.4 100 
  SGSP116 15 2  1.2  250  
TM55N08 250 55 0.07 80 
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张智勇

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发表于：2007-07-23 16:33:00
3楼
用 TM60N05 250 60  0.06  50   损耗才6W
TM55N08 250 55 0.07 80 损耗7W
你的电压才24V，用60V耐压的就可以，越是耐压高导通电阻就越大
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张智勇

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发表于：2007-07-23 16:37:00
4楼
可控硅导通压降在1～2V左右，按2V，损耗才20W
你是不是用电磁炉的IGBT，耐压1500V左右，电流40A
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周公

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发表于：2007-07-23 17:36:00
5楼
工作在开关状态的功率器件功耗由导通功耗、转换功耗、关断功耗三部分组成。导通时电流大而电压低、关断时电压高而电流小，功耗都不大，转换状态功耗比较大。如果发热太大可用示波器观察工作波形是否陡峭。尽量减少转换时间，可以减少功耗和发热。
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张智勇

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发表于：2007-07-23 18:10:00
6楼
也可以用几个MOS管并联降低导通电阻，并得越多，发热越少
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jiayan

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发表于：2007-07-23 22:46:00
7楼
首先谢谢两位的答复。
我用过600V和200V的,我用过IRFP48N(50V)  0.016欧，也是比较烫，不像只有P=I*I*R算出来的发热功率。我想导通功耗由导通电阻决定，转换功耗、关断功耗由什么决定？我用示波器看了波形，打开时正常，关断时有振铃，负载接地。第一个波峰有43V。象这种负载用MOSFET管，一般温度做到多少为正常？
删极高电平15V，低电平-5v.
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张智勇

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发表于：2007-07-23 23:36:00
8楼
用什么触发？
是不是没有工作在饱和状态
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华东工控

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发表于：2007-07-24 07:17:00
9楼
正常的，只要温度不超过80度 一般都可以用的！
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xuanmic

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发表于：2007-07-24 07:43:00
10楼
学习中。
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jiayan

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发表于：2007-07-24 09:45:00
11楼
23Khz的PWM波，TLP250驱动。
波形有振铃正常吗？这样好象对电网有影响？
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华东工控

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发表于：2007-07-24 10:29:00
12楼
你IGBT的开关频率是多少？ 是什么品牌的IGBT？
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jiayan

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发表于：2007-07-24 14:41:00
13楼
1.23Khz的PWM波，排除管子质量问题，因为是正规供应商供货。不合格供应商我们是不考虑的。

2.我现在知道是由转换功耗、关断功耗引起的了，但怎样减少这两样功耗呢？
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华东工控

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发表于：2007-07-24 16:12:00
14楼
23Khz的PWM 对一般IGBT来说频率已经很高了。你用的EUPEC 的还是 日系的？
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张智勇

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发表于：2007-07-24 16:18:00
15楼
频率用10KHz以下
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jiayan

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发表于：2007-07-25 08:13:00
16楼
谢谢各位，确实是频率过高的原因。
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jiayan

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发表于：2007-07-25 08:16:00
17楼
 IGBT为G30N60B3D
 MOSFET为 IRFP460  IRFP260 
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张智勇

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18楼
管子导通电阻也高 0.27欧姆
就是直接过10A电流也有27W，建议换其他管子或2个并联。并联后可以下降一半
IRFP460 
 


Parameter Value 
Package  TO-247AC   
Circuit  Discrete   
Polarity  N   
VBRDSS (V)  500   
RDS(on) 10V (mOhms)  270.0   
ID @ TC = 25C (A)  20   
ID @ TC = 100C (A)  13   
Qg Typ  140.0   
Qgd Typ  73.3   
Rth(JC)  0.45   
Power Dissipation @ TC = 25C (W)  280   
PbF  PbF Option Available   
 
 
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张智勇

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发表于：2007-07-25 08:27:00
19楼
建议用260，导通电阻0.04欧
IRFP260N 
 
Parameter Value 
Package  TO-247AC   
Circuit  Discrete   
Polarity  N   
VBRDSS (V)  200   
RDS(on) 10V (mOhms)  40.0   
ID @ TC = 25C (A)  49   
ID @ TC = 100C (A)  35   
Qg Typ  156.0   
Qgd Typ  73.3   
Rth(JC)  0.50   
Power Dissipation @ TC = 25C (W)  300   
PbF  PbF Option Available   
 
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