

 从式(2)可以看出,在干扰源的角频率ω不变时,要想降低导线2上的被干扰电压VN, 应当减小导线1的电压V1,减小两导线之间的分布电容C12,减小导线2对地负载电阻R以及增大导线2对地的总电容C2G。在这些措施中,可操作性最好的是减小两导线之间的分布电容C12。即采用远离技术:弱信号线要远离强信号线敷设,尤其是远离动力线路。工程上的“远离”概念,通常取干扰导线直径的40倍,即认为足够了。同时,避免平行走线也可以减小C12。
2、磁场耦合的抑制技术
抑制磁场耦合干扰的好办法应该是屏蔽干扰源。大电机、电抗器、磁力开关和大电流载流导线等等都是很强的磁场干扰源。但把它们都用导磁材料屏蔽起来,在工程上是很难做到的。通常是采用一些被动的抑制技术。当回路1对回路2造成磁场耦合干扰时,其在回路2 上形成的串联干扰电压VN为:
VN=jωBAcosθ    (3)
式中,ω是干扰信号的角频率;B是干扰源回路1形成的磁场链接至回路2处的磁通密度;A为回路2感受磁场感应的闭合面积,θ是和两个矢量的夹角。
从式(3)可以看出,在干扰源的角频率ω不变时,要想降低干扰电压VN,首先应当减小B。对于直线电流磁场来说,B与回路1流过的电流成正比,而与两导线的距离成反比 。因此,要有效抑制磁场耦合干扰,仍然是远离技术。同时,也要避免平行走线。
3、屏蔽线的使用
图2示出了屏蔽线使用的三种情况。图(a)是单端接地方式。假设信号电流i1从芯线流入屏蔽线,流过负载电阻RL之后,再通过屏蔽层返回信号源。因为i1与i2大小相等方向相反,所以它们产生的磁场干扰相互抵消。这是一个很好的抑制磁场干扰的措施。同时它也是一个很好的抵制磁场耦合干扰的措施。图(b)是两端接地方式。由于屏蔽层上流过的电流是i2与地环电流iG的迭加,所以它不能完全抵消信号电流所产生的磁场干扰。因此,它抑制磁场耦合干扰的能力也比图(a)差。图(a)和(b)都有屏蔽电场耦合干扰作用。图(c)的屏蔽层悬浮,因此,它只有屏蔽电场耦合干扰能力,而无抑制磁场耦合干扰能力。
从式(2)可以看出,在干扰源的角频率ω不变时,要想降低导线2上的被干扰电压VN, 应当减小导线1的电压V1,减小两导线之间的分布电容C12,减小导线2对地负载电阻R以及增大导线2对地的总电容C2G。在这些措施中,可操作性最好的是减小两导线之间的分布电容C12。即采用远离技术:弱信号线要远离强信号线敷设,尤其是远离动力线路。工程上的“远离”概念,通常取干扰导线直径的40倍,即认为足够了。同时,避免平行走线也可以减小C12。
2、磁场耦合的抑制技术
抑制磁场耦合干扰的好办法应该是屏蔽干扰源。大电机、电抗器、磁力开关和大电流载流导线等等都是很强的磁场干扰源。但把它们都用导磁材料屏蔽起来,在工程上是很难做到的。通常是采用一些被动的抑制技术。当回路1对回路2造成磁场耦合干扰时,其在回路2 上形成的串联干扰电压VN为:
VN=jωBAcosθ    (3)
式中,ω是干扰信号的角频率;B是干扰源回路1形成的磁场链接至回路2处的磁通密度;A为回路2感受磁场感应的闭合面积,θ是和两个矢量的夹角。
从式(3)可以看出,在干扰源的角频率ω不变时,要想降低干扰电压VN,首先应当减小B。对于直线电流磁场来说,B与回路1流过的电流成正比,而与两导线的距离成反比 。因此,要有效抑制磁场耦合干扰,仍然是远离技术。同时,也要避免平行走线。
3、屏蔽线的使用
图2示出了屏蔽线使用的三种情况。图(a)是单端接地方式。假设信号电流i1从芯线流入屏蔽线,流过负载电阻RL之后,再通过屏蔽层返回信号源。因为i1与i2大小相等方向相反,所以它们产生的磁场干扰相互抵消。这是一个很好的抑制磁场干扰的措施。同时它也是一个很好的抵制磁场耦合干扰的措施。图(b)是两端接地方式。由于屏蔽层上流过的电流是i2与地环电流iG的迭加,所以它不能完全抵消信号电流所产生的磁场干扰。因此,它抑制磁场耦合干扰的能力也比图(a)差。图(a)和(b)都有屏蔽电场耦合干扰作用。图(c)的屏蔽层悬浮,因此,它只有屏蔽电场耦合干扰能力,而无抑制磁场耦合干扰能力。
 

 [1935]
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