ARM 用于工控 行吗？ 当然行啊！ 点击：17574 | 回复：86
发表于：2005-11-07 09:00:00
16楼
PHILIPS公司32位FLASH MCU的优势(转贴）
PHILIPS公司32位FLASH MCU的优势
文章出处：ARM
国际半导体贸易统计显示，8位芯片仍然占据着微处理器市场56%的销量和40%的销售额。最流行的8位INTEL架构的8051芯片平均每年销售33亿片－大约是32位PC微处理器销量的30倍。甚至最早于1971年面世的低端4位芯片的销量也只比它们的最高销量低15%。嵌入式系统开发者仍然在使用这些芯片，因为它们具有极低的价格、微功耗以及小的体积，可以为几乎任何应用增加智能化。
为了用功能更强大的器件取代8位和16位微控制器，PHILIPS半导体发布了基于ARM7的32位MCU的新产品线。PHILIPS知道以其自身的条件无法击败最小的MCU，但PHILIPS相信这样一个以较小尺寸制造的、具有额外性能的32位MCU可以使一些开发者抛弃他们节俭的习惯。为了使吸引力更强，PHILIPS以特别的0.18微米COMS工艺制造新的MCU，它提供了内嵌的FLASH存储器。
FLASH
PHILIPS新的LPC2100系列所有MCU都使用包含16位Thumb指令、调试扩展（包含实时监视、实时跟踪和EmbeddedICE）和32位乘法器的ARM7TDMI-S内核。ARM7－具有简单的3级流水线和冯·诺依曼结构－是最小的32位RISC内核，业界对其提供了广泛的支持。虽然具有31000个门的ARM7TDMI-S内核在规模上相当于80C51（具有大约9500个门）的3倍，但在使用0.18微米工艺时，这一差别并不明显。使用0.18微米工艺可以在1mm2的面积内集成10万个门，而SRAM单元只占用4.65μm2。当处理器核与外围功能以及片内存储器集成在一起时，这一差别就更小了。在一个要求连接网络（一个越来越普遍的功能）的嵌入式系统中，实现以太网媒体访问控制器需要6万到9万个门。同样，任何有用数量的片内SRAM都有可能使处理器占用的硅片面积减小。
为了降低成本和功耗，PHILIPS使用0.18微米工艺制造LPC2100芯片，它在1.8V操作电压下可达到60MHz频率。PHILIPS宣称它在业界率先采用了具有嵌入式FLASH存储器的0.18微米CMOS工艺。零等待状态FLASH基于两晶体管单元，其访问时间在50ns之内。它通过一条非常宽的128位接口与处理器相连。这使处理器可以一次读取4个字，从而消除了一般FLASH读取时的等待时间。FLASH控制器还可执行智能的预取指缓冲，这样当处理器必须处理器中断服务程序时，保存在FLASH存储器中的指令立即可用。PHILIPS提供一个FLASH装载程序，它可通过一个串口下载用户程序并在现场升级系统。
供货
迄今为止，LPC2100系列所有器件都带有128K嵌入式FLASH，但将来的芯片将会提供小到64K，大到1MB的FLASH存储器。PHILIPS在今年晚些时候会提供具有256K FLASH的芯片，计划到2004年以更小的0.13微米工艺生产具有1MB FLASH的芯片。
LPC2100系列成员在SRAM的数量上有较大差别。LPC2104, LPC2105和LPC2106分别具有16K, 32K和64K SRAM。较大的片内存储器使LPC2105和LPC2106更适合于处理协议栈的网络应用。PHILIPS表示将来这一系列的芯片将增加以太网、USB、802.11、CAN以及A/D转换等逻辑。
集成FLASH的两种方法
PHILIPS不是第一家生产基于ARM的MCU的公司，它甚至不是第一家集成FLASH存储器的公司。Atmel、Hynix和Oki都提供基于ARM7TDMI-S内核的带有FLASH的MCU，而且所有这些厂商的器件都比PHILIPS MCU的FLASH容量更大。最强大的竞争对手是Atmel，它的AT91系列就有4款这样的芯片－有些具有2MB的FLASH，16倍于现有的PHILIPS LPC2100系列器件。Atmel MCU倾向于具有更多的SRAM，其中两款的时钟速度高于PHILIPS的芯片。
但是Atmel、Hynix、Oki和PHILIPS所生产的基于ARM7的MCU具有一个重要的区别，那就是：只有PHILIPS和Hynix将FLASH存储器与处理器核集成在同一个管芯当中，Atmel和Oki将一个单独的FLASH芯片与处理器集成在一个多芯片封装当中。很自然，这对存储器性能、封装大小、功耗以及价格有着很重要的影响。
在Atmel的MCU当中，FLASH 接口的宽度只有32位，而不是PHILIPS的128位宽度。访问时间大约110ns，只有PHILIPS FLASH存储器速度的一半。一个后果就是，Atmel的MCU只有在执行SRAM，而不是FLASH中的代码时才能发挥其完全的性能。而PHILIPS MCU执行零等待FLASH存储器中的程序却不会有性能上的损失。Oki的MCU速度更慢，因为连接处理器与FLASH存储器的多芯片接口只有16位宽度。虽然Hynix的FLASH与处理器核嵌入在同一个芯片当中，但它也使用了16位接口。Hynix FLASH存储器的访问时间大约为90ns－只有PHILIPS MCU速度的一半。
PHILIPS的0.18微米嵌入式FLASH工艺的另一个优点是实现了较小的芯片，这样不但降低了功耗，减小了封装尺寸，而且降低了成本。PHILIPS MCU的尺寸只有7×7 mm，比最接近的对手Atmel的10×10mm AT91FR4042和AT91FR40162的尺寸小了一半。Oki的ML67Q400x/500器件的尺寸是同类器件中最大的，它的LQFP封装尺寸为20×20mm，4倍于PHILIPS器件。
虽然Atmel MCU倾向于比PHILIPS MCU具有更多的SRAM，但是要用它来弥补较慢的FLASH存储器的不足，而SRAM比FLASH更大而且更贵。不幸的是，我们无法获取所有这些厂商器件的功耗指标、封装尺寸和批量价格。但是毫无疑问，PHILIPS的0.18微米工艺使LPC2100器件的内核电压和其它参数在非常小的嵌入式系统中具有优势。
对于32位处理器来说，所有这些基于ARM7的MCU都非常便宜，但是请注意，在相同批量的情况下，8位芯片的平均价格只有1.40美元。几块钱看起来差别不大，但对于低端的嵌入式系统来说非常重要。
较小的ARM，较大的Thumb ?
ARM可以通过提供特别为MCU集成而设计的，带有扩展Thumb指令的较小内核来缩小8位与32位MCU之间的价格差。现在，由于Thumb不是一个完整的指令集，ARM程序必须在16位和32位模式之间进行来回切换。另外，它不能处理异常或某些系统控制的功能或者访问整个寄存器文件。如果Thumb功能更加全面，那么开发者可以用紧凑的16位代码编写整个程序，而仍然保持32位结构的大多数优点。
一个带有功能全面的Thumb指令的ARM核可能与Hitachi第一代SuperH结构相似，SuperH将16位指令集与32位RISC结构相结合。去年，ARC使用了一种新的方式实现其ARCompact指令集结构，该结构允许程序员编写16位或32位代码，或将两种类型的指令混合编写。ARCtangent内核的基本配置大约为16000个门，相当于ARM7的一半，这样32位RISC内核就有可能与8位和16位结构竞争。
本资料由ARM(中国)公司提供
本贴转贴自 http://bbs.downsurf.com/
PHILIPS公司32位FLASH MCU的优势
文章出处：ARM
国际半导体贸易统计显示，8位芯片仍然占据着微处理器市场56%的销量和40%的销售额。最流行的8位INTEL架构的8051芯片平均每年销售33亿片－大约是32位PC微处理器销量的30倍。甚至最早于1971年面世的低端4位芯片的销量也只比它们的最高销量低15%。嵌入式系统开发者仍然在使用这些芯片，因为它们具有极低的价格、微功耗以及小的体积，可以为几乎任何应用增加智能化。
为了用功能更强大的器件取代8位和16位微控制器，PHILIPS半导体发布了基于ARM7的32位MCU的新产品线。PHILIPS知道以其自身的条件无法击败最小的MCU，但PHILIPS相信这样一个以较小尺寸制造的、具有额外性能的32位MCU可以使一些开发者抛弃他们节俭的习惯。为了使吸引力更强，PHILIPS以特别的0.18微米COMS工艺制造新的MCU，它提供了内嵌的FLASH存储器。
FLASH
PHILIPS新的LPC2100系列所有MCU都使用包含16位Thumb指令、调试扩展（包含实时监视、实时跟踪和EmbeddedICE）和32位乘法器的ARM7TDMI-S内核。ARM7－具有简单的3级流水线和冯·诺依曼结构－是最小的32位RISC内核，业界对其提供了广泛的支持。虽然具有31000个门的ARM7TDMI-S内核在规模上相当于80C51（具有大约9500个门）的3倍，但在使用0.18微米工艺时，这一差别并不明显。使用0.18微米工艺可以在1mm2的面积内集成10万个门，而SRAM单元只占用4.65μm2。当处理器核与外围功能以及片内存储器集成在一起时，这一差别就更小了。在一个要求连接网络（一个越来越普遍的功能）的嵌入式系统中，实现以太网媒体访问控制器需要6万到9万个门。同样，任何有用数量的片内SRAM都有可能使处理器占用的硅片面积减小。
为了降低成本和功耗，PHILIPS使用0.18微米工艺制造LPC2100芯片，它在1.8V操作电压下可达到60MHz频率。PHILIPS宣称它在业界率先采用了具有嵌入式FLASH存储器的0.18微米CMOS工艺。零等待状态FLASH基于两晶体管单元，其访问时间在50ns之内。它通过一条非常宽的128位接口与处理器相连。这使处理器可以一次读取4个字，从而消除了一般FLASH读取时的等待时间。FLASH控制器还可执行智能的预取指缓冲，这样当处理器必须处理器中断服务程序时，保存在FLASH存储器中的指令立即可用。PHILIPS提供一个FLASH装载程序，它可通过一个串口下载用户程序并在现场升级系统。
供货
迄今为止，LPC2100系列所有器件都带有128K嵌入式FLASH，但将来的芯片将会提供小到64K，大到1MB的FLASH存储器。PHILIPS在今年晚些时候会提供具有256K FLASH的芯片，计划到2004年以更小的0.13微米工艺生产具有1MB FLASH的芯片。
LPC2100系列成员在SRAM的数量上有较大差别。LPC2104, LPC2105和LPC2106分别具有16K, 32K和64K SRAM。较大的片内存储器使LPC2105和LPC2106更适合于处理协议栈的网络应用。PHILIPS表示将来这一系列的芯片将增加以太网、USB、802.11、CAN以及A/D转换等逻辑。
集成FLASH的两种方法
PHILIPS不是第一家生产基于ARM的MCU的公司，它甚至不是第一家集成FLASH存储器的公司。Atmel、Hynix和Oki都提供基于ARM7TDMI-S内核的带有FLASH的MCU，而且所有这些厂商的器件都比PHILIPS MCU的FLASH容量更大。最强大的竞争对手是Atmel，它的AT91系列就有4款这样的芯片－有些具有2MB的FLASH，16倍于现有的PHILIPS LPC2100系列器件。Atmel MCU倾向于具有更多的SRAM，其中两款的时钟速度高于PHILIPS的芯片。
但是Atmel、Hynix、Oki和PHILIPS所生产的基于ARM7的MCU具有一个重要的区别，那就是：只有PHILIPS和Hynix将FLASH存储器与处理器核集成在同一个管芯当中，Atmel和Oki将一个单独的FLASH芯片与处理器集成在一个多芯片封装当中。很自然，这对存储器性能、封装大小、功耗以及价格有着很重要的影响。
在Atmel的MCU当中，FLASH 接口的宽度只有32位，而不是PHILIPS的128位宽度。访问时间大约110ns，只有PHILIPS FLASH存储器速度的一半。一个后果就是，Atmel的MCU只有在执行SRAM，而不是FLASH中的代码时才能发挥其完全的性能。而PHILIPS MCU执行零等待FLASH存储器中的程序却不会有性能上的损失。Oki的MCU速度更慢，因为连接处理器与FLASH存储器的多芯片接口只有16位宽度。虽然Hynix的FLASH与处理器核嵌入在同一个芯片当中，但它也使用了16位接口。Hynix FLASH存储器的访问时间大约为90ns－只有PHILIPS MCU速度的一半。
PHILIPS的0.18微米嵌入式FLASH工艺的另一个优点是实现了较小的芯片，这样不但降低了功耗，减小了封装尺寸，而且降低了成本。PHILIPS MCU的尺寸只有7×7 mm，比最接近的对手Atmel的10×10mm AT91FR4042和AT91FR40162的尺寸小了一半。Oki的ML67Q400x/500器件的尺寸是同类器件中最大的，它的LQFP封装尺寸为20×20mm，4倍于PHILIPS器件。
虽然Atmel MCU倾向于比PHILIPS MCU具有更多的SRAM，但是要用它来弥补较慢的FLASH存储器的不足，而SRAM比FLASH更大而且更贵。不幸的是，我们无法获取所有这些厂商器件的功耗指标、封装尺寸和批量价格。但是毫无疑问，PHILIPS的0.18微米工艺使LPC2100器件的内核电压和其它参数在非常小的嵌入式系统中具有优势。
对于32位处理器来说，所有这些基于ARM7的MCU都非常便宜，但是请注意，在相同批量的情况下，8位芯片的平均价格只有1.40美元。几块钱看起来差别不大，但对于低端的嵌入式系统来说非常重要。
较小的ARM，较大的Thumb ?
ARM可以通过提供特别为MCU集成而设计的，带有扩展Thumb指令的较小内核来缩小8位与32位MCU之间的价格差。现在，由于Thumb不是一个完整的指令集，ARM程序必须在16位和32位模式之间进行来回切换。另外，它不能处理异常或某些系统控制的功能或者访问整个寄存器文件。如果Thumb功能更加全面，那么开发者可以用紧凑的16位代码编写整个程序，而仍然保持32位结构的大多数优点。
一个带有功能全面的Thumb指令的ARM核可能与Hitachi第一代SuperH结构相似，SuperH将16位指令集与32位RISC结构相结合。去年，ARC使用了一种新的方式实现其ARCompact指令集结构，该结构允许程序员编写16位或32位代码，或将两种类型的指令混合编写。ARCtangent内核的基本配置大约为16000个门，相当于ARM7的一半，这样32位RISC内核就有可能与8位和16位结构竞争。
本资料由ARM(中国)公司提供
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发表于：2005-11-11 09:47:00
17楼
atmel新出的7S系列性能和价格似乎可与PHILIPS竞争啊。
AT91SAM7S64
特点
1.集成了ARM7TDMI Thumb 处理器
– 高性能的32 位RISC架构
– 高密度的16 位指令集
– 性能/功耗(MIPS/Watt) 的领先者
– 嵌入式ICE电路仿真，支持调试通讯
2. 64K 字节的片内高速Flash存储器，共512 页，每页128 字节
– 在最坏的条件下可以30 MHz 的速度进行单时钟周期访问,
预取(Prefetch) 缓冲器可以实现Thumb指令的优化，使处理器以最快的速度执行指令
– 页编程时间为4 ms，包括页自动擦除，全片擦除时间为10 ms
– 10,000 次的写寿命， 10 年数据保持能力，扇区锁定功能，Flash 安全锁定位
– 适合量产的快速Flash编程接口
3. 16K 字节的片内高速SRAM，可以在最高时钟速度下进行单时钟周期访问操作
4. 存储器控制器(MC)
– 嵌入式Flash控制器，异常中断(Abort)状态及未对齐(Misalignment) 检测
5. 复位控制器 (RSTC)
– 上电复位和经过工厂标定的掉电检测
– 提供复位源信息以及给外部电路使用的复位信号
6. 时钟发生器(CKGR)
– 低供耗RC 振荡器，3 到20MHz 的片上振荡器和一个PLL
7. 电源管理控制器(PMC)
– 可以通过软件进行电源优化，包括慢速时钟模式( 低至500 Hz)和空闲(Idle)模式
– 三个可编程的外部时钟信号
8.先进的中断控制器(AIC)
– 可以单独屏蔽的、具有8 个优先级的向量式中断源
– 两个外部中断源和一个快速中断源，可以防止虚假(spurious)中断
9. 调试单元(DBGU)
– 2线UART，支持调试通讯通道中断;可通过程序来禁止通过ICE进行访问
10. 周期性间隔定时器(PIT)
– 20位可编程的计数器，加上12 位的间隔计数器
11. 时间窗看门狗(WDT)
– 12位受预设值（key）保护的可编程计数器
– 为系统提供复位或中断信号
– 当处理器处于调试状态或空闲模式时可以停止计数器
11. 实时定时器(RTT)
– 32位自由运行的具有报警功能的计数器
– 时钟来源于片内RC 振荡器
12. 一个并行输入/输出控制器(PIOA)
– 32个可编程的复用I/O，每个I/O最多可以支持两个外设功能
– 输入电平改变时，每个I/O都可以产生中断
– 可以独立编程为开漏输出、使能上拉电阻以及同步输出
13. 11 个外设数据控制器(PDC) 通道
15. 一个USB 2.0 全速(12 Mbps)设备端口
– 片上收发器，328字节可编程的FIFO
16. 一个同步串行控制器(SSC)
– 每个接收器和发送器都具有独立的时钟和帧同步信号
– 支持I²S，支持时分多址
– 支持32 位数据传输的高速连续数据流功能
17. 两个通用的同步/异步收发器(USART)
– 独立的波特率发生器，IrDA 红外调制/ 解调
– 支持ISO7816 T0/T1 智能卡，硬件握手信号，支持RS485
– USART1支持全功能的调制解调器信号
18. 主/从串行外设接口(SPI)
– 8到16 位可编程的数据长度，4 个片选线
19. 一个3 通道的16位定时器/计数器(TC)
– 3个外部时钟输入端，每个通道有两个多功能I/O引脚
– 倍速PWM 发生功能，捕捉/ 波形模式，递增/递减计数
• 一个4 通道的16位PWM 控制器(PWMC)
20. 一个两线接口(TWI)
– 只支持主机模式，支持所有的Atmel两线EEPROM
21. 一个8 通道的10位模数转换器，其中4 个通道与数字I/O复用
22 IEEE 1149.1 JTAG边界扫描支持所有的数字引脚
23. 5V兼容的I/O，包括4 个高达16 mA 的大电流驱动I/O
24. 电源
– 片上1.8V 电压调节器，可以为内核及外部元件提供高达100 mA的电流
– 为I/O 口线提供电源的3.3V VDDIO，以及独立的为Flash供电的3.3V VDDFLASH
– 内核电源为1.8V VDDCORE，并具有掉电检测(BoD) 功能
25. 全静态操作：极限条件下(1.65V，85°C )高达55 MHz
26. 封装为64 脚的LQFP
AT91SAM7S64
特点
1.集成了ARM7TDMI Thumb 处理器
– 高性能的32 位RISC架构
– 高密度的16 位指令集
– 性能/功耗(MIPS/Watt) 的领先者
– 嵌入式ICE电路仿真，支持调试通讯
2. 64K 字节的片内高速Flash存储器，共512 页，每页128 字节
– 在最坏的条件下可以30 MHz 的速度进行单时钟周期访问,
预取(Prefetch) 缓冲器可以实现Thumb指令的优化，使处理器以最快的速度执行指令
– 页编程时间为4 ms，包括页自动擦除，全片擦除时间为10 ms
– 10,000 次的写寿命， 10 年数据保持能力，扇区锁定功能，Flash 安全锁定位
– 适合量产的快速Flash编程接口
3. 16K 字节的片内高速SRAM，可以在最高时钟速度下进行单时钟周期访问操作
4. 存储器控制器(MC)
– 嵌入式Flash控制器，异常中断(Abort)状态及未对齐(Misalignment) 检测
5. 复位控制器 (RSTC)
– 上电复位和经过工厂标定的掉电检测
– 提供复位源信息以及给外部电路使用的复位信号
6. 时钟发生器(CKGR)
– 低供耗RC 振荡器，3 到20MHz 的片上振荡器和一个PLL
7. 电源管理控制器(PMC)
– 可以通过软件进行电源优化，包括慢速时钟模式( 低至500 Hz)和空闲(Idle)模式
– 三个可编程的外部时钟信号
8.先进的中断控制器(AIC)
– 可以单独屏蔽的、具有8 个优先级的向量式中断源
– 两个外部中断源和一个快速中断源，可以防止虚假(spurious)中断
9. 调试单元(DBGU)
– 2线UART，支持调试通讯通道中断;可通过程序来禁止通过ICE进行访问
10. 周期性间隔定时器(PIT)
– 20位可编程的计数器，加上12 位的间隔计数器
11. 时间窗看门狗(WDT)
– 12位受预设值（key）保护的可编程计数器
– 为系统提供复位或中断信号
– 当处理器处于调试状态或空闲模式时可以停止计数器
11. 实时定时器(RTT)
– 32位自由运行的具有报警功能的计数器
– 时钟来源于片内RC 振荡器
12. 一个并行输入/输出控制器(PIOA)
– 32个可编程的复用I/O，每个I/O最多可以支持两个外设功能
– 输入电平改变时，每个I/O都可以产生中断
– 可以独立编程为开漏输出、使能上拉电阻以及同步输出
13. 11 个外设数据控制器(PDC) 通道
15. 一个USB 2.0 全速(12 Mbps)设备端口
– 片上收发器，328字节可编程的FIFO
16. 一个同步串行控制器(SSC)
– 每个接收器和发送器都具有独立的时钟和帧同步信号
– 支持I²S，支持时分多址
– 支持32 位数据传输的高速连续数据流功能
17. 两个通用的同步/异步收发器(USART)
– 独立的波特率发生器，IrDA 红外调制/ 解调
– 支持ISO7816 T0/T1 智能卡，硬件握手信号，支持RS485
– USART1支持全功能的调制解调器信号
18. 主/从串行外设接口(SPI)
– 8到16 位可编程的数据长度，4 个片选线
19. 一个3 通道的16位定时器/计数器(TC)
– 3个外部时钟输入端，每个通道有两个多功能I/O引脚
– 倍速PWM 发生功能，捕捉/ 波形模式，递增/递减计数
• 一个4 通道的16位PWM 控制器(PWMC)
20. 一个两线接口(TWI)
– 只支持主机模式，支持所有的Atmel两线EEPROM
21. 一个8 通道的10位模数转换器，其中4 个通道与数字I/O复用
22 IEEE 1149.1 JTAG边界扫描支持所有的数字引脚
23. 5V兼容的I/O，包括4 个高达16 mA 的大电流驱动I/O
24. 电源
– 片上1.8V 电压调节器，可以为内核及外部元件提供高达100 mA的电流
– 为I/O 口线提供电源的3.3V VDDIO，以及独立的为Flash供电的3.3V VDDFLASH
– 内核电源为1.8V VDDCORE，并具有掉电检测(BoD) 功能
25. 全静态操作：极限条件下(1.65V，85°C )高达55 MHz
26. 封装为64 脚的LQFP
发表于：2005-11-14 10:21:00
18楼
http://www.myarm.net
lpc2132 3.0 实验、工业应用 2用板
简易仿真头一个,20芯扁平电缆一根，并口电缆一根串口电缆一根,5V电源1个 128*64的带中文字库的液晶一块
邮费自理
全套 458[带液晶]
2. 可以做如下实验：
l LCD液晶控制器实验，您可以掌握在没有操作系统的支持下编写LCD液晶驱动以及菜单制作
l SPI总线实验，可以掌握对SPI外设的操作，如串行flash的驱动、串并转换的操作
l A/D D/A实验，掌握模拟信号采样并转化为数字量，以及数字量生成模拟电压
l PWM实验，掌握脉宽调制的生成以及用PWM生成模拟量
l 实时时钟实验，掌握对内部时钟的设置以及读取
l 脉冲计数实验，掌握用中断方式对外部跳变信号的计数以及查询方式计数
l 串行通信实验，掌握RS232通信，不同波特率的设置，查询方式通信以及中断方式通信
l I2C总线实验，掌握如何通过I2C对 E2ROM 24C04操作
l 键盘实验，掌握键盘扫描原理以及如何获得键码
l 7段LED实验，掌握在LED显示数字的技巧
l 低功耗实验，掌握如何使处理器进入节电模式
l 通过串口下载程序代码，掌握远程程序修改的方法
l 中断控制实验，学习如何使程序进入管态以及核态，学习中断向量的设置，以及C语言环境下对中断的处理。
l 掌握如何在没有硬件的情况下在VC环境编写嵌入式应用程序，并模拟真实环境调试。进一步掌握在硬件平台已经完成后如何把VC环境编写嵌入式应用程序移植到硬件平台上。
l 掌握硬件驱动的API函数的编写、API调用的方法。掌握函数库的生成以及库函数的调用，从而使源程序中关键部分的源代码不可见，保护知识产权。
l 掌握用C++对嵌入式应用编程，掌握C,C++以及汇编混合编程
l 掌握如何用UML建立模型并且生成C++程序，掌握对自动生成的C++程序的嵌入式改写并移植到目标系统
l 操作系统实验，ucos--ii实验
全部开放所有源代码. 提供光盘1张，内含试验代码以及集成开发 环境和调试软件，必要的工具软件
使用手册 http://www.embedchina.cn/doc/datasheetfor2132.htm
lpc2132 3.0 实验、工业应用 2用板
简易仿真头一个,20芯扁平电缆一根，并口电缆一根串口电缆一根,5V电源1个 128*64的带中文字库的液晶一块
邮费自理
全套 458[带液晶]
2. 可以做如下实验：
l LCD液晶控制器实验，您可以掌握在没有操作系统的支持下编写LCD液晶驱动以及菜单制作
l SPI总线实验，可以掌握对SPI外设的操作，如串行flash的驱动、串并转换的操作
l A/D D/A实验，掌握模拟信号采样并转化为数字量，以及数字量生成模拟电压
l PWM实验，掌握脉宽调制的生成以及用PWM生成模拟量
l 实时时钟实验，掌握对内部时钟的设置以及读取
l 脉冲计数实验，掌握用中断方式对外部跳变信号的计数以及查询方式计数
l 串行通信实验，掌握RS232通信，不同波特率的设置，查询方式通信以及中断方式通信
l I2C总线实验，掌握如何通过I2C对 E2ROM 24C04操作
l 键盘实验，掌握键盘扫描原理以及如何获得键码
l 7段LED实验，掌握在LED显示数字的技巧
l 低功耗实验，掌握如何使处理器进入节电模式
l 通过串口下载程序代码，掌握远程程序修改的方法
l 中断控制实验，学习如何使程序进入管态以及核态，学习中断向量的设置，以及C语言环境下对中断的处理。
l 掌握如何在没有硬件的情况下在VC环境编写嵌入式应用程序，并模拟真实环境调试。进一步掌握在硬件平台已经完成后如何把VC环境编写嵌入式应用程序移植到硬件平台上。
l 掌握硬件驱动的API函数的编写、API调用的方法。掌握函数库的生成以及库函数的调用，从而使源程序中关键部分的源代码不可见，保护知识产权。
l 掌握用C++对嵌入式应用编程，掌握C,C++以及汇编混合编程
l 掌握如何用UML建立模型并且生成C++程序，掌握对自动生成的C++程序的嵌入式改写并移植到目标系统
l 操作系统实验，ucos--ii实验
全部开放所有源代码. 提供光盘1张，内含试验代码以及集成开发 环境和调试软件，必要的工具软件
使用手册 http://www.embedchina.cn/doc/datasheetfor2132.htm
发表于：2005-11-14 14:48:00
20楼
有关[color=#FF0000] Philips LPC2132 [/color]的资料请看：
http://www.semiconductors.philips.com/pip/LPC2132FBD64.html
http://translate.google.com/translate?u=http://www.semiconductors.philips.com/cgi-bin/pldb/pip/LPC2132FBD64.html&langpair=en|zh-CN&hl=en (下边网址的内容是上边网址的内容靠Google自动翻译变成了中文，水平有限，请勿见笑)
http://www.semiconductors.philips.com/pip/LPC2132FBD64.html
http://translate.google.com/translate?u=http://www.semiconductors.philips.com/cgi-bin/pldb/pip/LPC2132FBD64.html&langpair=en|zh-CN&hl=en (下边网址的内容是上边网址的内容靠Google自动翻译变成了中文，水平有限，请勿见笑)
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