正运动技术
说明:每个输出口都设计有续流二极管用来保护MOS的安全。
原理:输出口很多时候需要外接如继电器这类感性负载,输出口打开时感性负载存储能量,当输出口关闭时,感性负载产生感应电动势,其两端电压突增甚至高达上千伏,从而击穿MOS;当有续流二极管时,其突增的电压开启二极管从而泄放掉感性负载之前存储的能量保护MOS。
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