一、概述
PN7103是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片，其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT组成半桥结构，该芯片逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力，传输延时具有匹配性，以简化在高频下的应用。

二、特性

  ◆ 高压范围达+600V

  ◆ 3.3V逻辑兼容

  ◆ 抗dv/dt能力+-50V/nsec

  ◆ 自举工作的浮地通道

  ◆ 栅驱动电压范围10V-20V

  ◆ 低侧欠压保护（UVLO）功能

  ◆ 输出拉灌电流能力300mA/600mA

  ◆ 独立的逻辑输出以适应所有的拓扑结构

  ◆ 抗-5V瞬态负VS能力

  ◆ 高低侧通道均延时匹配

三、应用领域

  ◆ 中小型功率电机驱动

  ◆ 功率MOSFET或IGBT

  ◆ 半桥功率逆变器

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