低功耗国产SPI NAND Flash存储芯片 点击:5 | 回复:0



英尚微电子

    
  • 精华:0帖
  • 求助:0帖
  • 帖子:247帖 | 195回
  • 年度积分:0
  • 历史总积分:1459
  • 注册:2019年11月27日
发表于:2026-05-15 15:44:49
楼主

与传统并行NAND相比,SPI NAND Flash通过串行外设接口(SPI)实现通信,既保留了NAND Flash的高密度存储能力,又大幅降低了引脚数量和布线复杂度。特别是在相同封装尺寸下,SPI NAND的容量可以做到SPI NOR Flash的4倍以上,而单位成本却显著更低,这让SPI NAND Flash在消费电子、工业控制等需要兼顾成本与性能的场景中表现尤为突出。


采用SPI NAND Flash方案时,主控MCU内部不再需要集成复杂的传统NAND控制器,只需具备标准的SPI接口即可驱动这颗闪存。这一变化直接降低了主控芯片的选型门槛和成本。同时,SPI NAND Flash多采用WSON、DFN或SOP等小型封装,相比于传统NAND Flash常见的TSOP封装,占板面积和引脚数量都明显减少,PCB的尺寸可以设计得更紧凑,层数也能得到优化,既满足设备小型化的趋势,又进一步压缩了整体物料成本。





热门招聘
相关主题

官方公众号

智造工程师