HCD010P03L扩展坞方案PMOS管(-30V-40A) 点击:2 | 回复:0



惠海小力

    
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发表于:2025-12-04 11:35:14
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PMOS 管(P 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)以 P 型半导体为衬底,通过栅极施加负电压调控源漏极间空穴迁移,实现电路开关控制或信号放大,是拓展坞电路中的关键基础器件,专为其多接口供电与信号控制需求量身适配。

惠海半导体HCD010P03L(-30V-40A)

核心优势精准匹配拓展坞应用场景:

适配低压低功耗需求,负值阈值电压可满足拓展坞 USB-CHDMI 等接口的低电压供电规格,有效降低设备整体能耗,延长外接设备续航;

抗干扰能力突出,在拓展坞多接口并发工作的复杂电路环境中,能保持稳定工作状态,保障数据传输与供电的可靠性;

工艺兼容性强,可与拓展坞集成芯片的制造工艺无缝适配,便于紧凑化电路设计,节省内部空间。

在拓展坞中的核心应用:

电源管理模块:作为低压差稳压器、开关电源控制单元的核心元件,保障多接口同时供电的稳定性,避免电压波动影响外接设备;

信号控制电路:支撑拓展坞的逻辑运算与多接口信号切换,确保 USB、网口、视频接口等数据传输无延迟、无干扰;

低功耗控制:适配拓展坞待机模式下的低功耗需求,通过精准开关控制减少闲置能耗,兼顾性能与节能。

HCD010P03L-3.jpg



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