N沟道MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种电压控制型器件，依靠N型半导体中的电子导电。当栅极电压超过阈值电压时，源极与漏极之间形成导电沟道，实现电流导通，具有输入阻抗高、开关速度快、功耗低等特点。 其常见应用领域广泛：在消费电子中，用于手机、电脑的电源管理芯片，实现电压转换和功率控制；在工业领域，应用于电机驱动、变频器，精准调节电机转速与扭矩；在新能源领域，用于光伏逆变器、电动汽车充电桩，提升能量转换效率；还可用于开关电源、逻辑电路等场景，是现代电子电路中不可或缺的核心器件。