XRAM是一种新的内存架构，旨在以具有竞争力的价格提供高密度和高性能RAM.XRAM使用先进的DRAM技术和自刷新架构来显着提高内存密度，性能并简化用户界面。XM8A51216V33A在功能上等效于异步SRAM，是一种高性能8Mbit CMOS存储器，组织为512K字乘16位和1024K字乘8位，支持异步SRAM存储器接口。
 
特征
•异步XRAM内存
•高速访问时间
•tAA=10/12纳秒
•低有功功率
•ICC=80 mA时为55 mA
•低CMOS待机电流
•ISB2=20 mA（典型值）
•工作电压范围：2.2 V至3.6 V
•取消选择时自动掉电
•TTL兼容的输入和输出
•提供44引脚TSOP II，48引脚TSOP I封装和48焊球FBGA封装
 

 44引脚TSOP II引脚排列         48引脚TSOP I引脚排列

 

 要写入设备，请将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入设为低电平。如果字节低使能（BLE）为低，则来自I / O引脚（DQ0至DQ7）的数据被写入地址引脚（A0至A18）上指定的位置。如果字节高使能（BHE）为低电平，则来自I / O引脚（DQ8至DQ15）的数据将写入地址引脚（A0至A18）上指定的位置。要从器件读取，请将芯片使能（CE）和输出使能（OE）设为低电平，同时将写入使能（WE）设为高电平。如果字节低使能（BLE）为低，则地址引脚指定的存储器位置中的数据将出现在DQ0至DQ7上。如果字节高使能（BHE）为低，则来自存储器的数据出现在DQ8到DQ15上。
 
取消选择器件（CE），禁用输出（OE HIGH），禁用BHE和BLE（BHE，BLE HIGH）或以下操作时，输入或输出引脚（DQ0至DQ15）处于高阻抗状态写操作（CE和WE LOW）。突发模式引脚（MODE）定义突发序列的顺序。当置为高电平时，将选择交错的突发序列。当拉低时，选择线性突发序列。