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浅谈MOSFET管发热问题
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jiejie0215 个人主页 给TA发消息 加TA为好友 发表于:2018-08-21 15:22:11 楼主

    MOSFET的发热情况有:

    1.电路设计的问题,就是让MOSFET工作在线性的工作状态,而不是在开关电路状态。这也是导致MOSFET发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。

    2.频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOSFET上的损耗增大了,所以发热也加大了。

    3.没有做好足够的散热设计,电流太高,MOSFET标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片。

    4.MOSFET的选型有误,对功率判断有误,MOSFET内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。


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苏州爱德威 个人主页 给TA发消息 加TA为好友 发表于:2019-08-07 18:23:34 1楼
 

功率MOSFET Gate驱动电压一般为12V,小功率管Infineon也有低电压驱动器件。gate驱动电阻、驱动电流、开关速度、RDSon散热方式影响MOSFET温升。我公司的IGBT/MOSFET动态性能测试仪可以精确测试每次开关开通/关断耗损。


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