在我们常见化学试剂的使用中关于晶片表面清洗：如何去除晶片表面的各种沾污 ，那么我们知道沾污类型分为：分子型沾污;离子型沾污;原子型沾污，你知道它应该如何使用吗?

　　化学吸附的用酸类清洗：

原子型沾污：晶片存放于空气中或由于某种腐蚀处理后，表面上沾污了重金属离子或粒子，它们和晶片原子相互作用(氧化、还原)而形成金属原子，严重影响器件表面电导和其它性能。通常用强氧化剂使之氧化而溶解之。双氧水即是一种强氧化剂，酸性双氧水能溶解如Mg镁、Ni镍、W钨、Nb铌、Pb铅等重金属原子，碱性双氧水(1#清洗液)可溶解Cu铜、Ag银、Ni镍等金属原子。

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　　分子型沾污：是天然的和人造的酯类，树脂和油类等有机物，其分子杂质常借助微弱的静电引 力与晶片表面相结合，由于它们不溶于水，使晶片表面成为疏水性，它妨碍了用去离子水除去表面吸附的离子和金属杂质。因此必须首先除去。使用汽油(甲苯)、丙酮、无水乙醇。

　　离子型沾污：晶片表面由于物理吸附或化学吸附的关系，吸附各类离子，引起表面漏电，使器件工作性能不稳定及变坏。一般用去离子水清洗即可。

　　总的来讲，清洗所用的化学试剂有：汽油、硫酸、双氧水、氢氧化钠溶液、丙酮、无水乙醇，HCl、NH4OH等。