对于半导体励磁装置，可能有下列几方面的原因，使整流过流
1)桥臂元件及励磁变压器绕组的电流超过其正常定额。
2) 整流桥内部某一桥臂元件击穿短路，丧失阻断能力，则交流电源可通过已损坏短路的桥臂和其它完好的桥臂元件，交替形成二相短路及三相短路。这些电流将流过某些完好的桥臂元件及变压器绕组，其数值可超过交流侧三相短路时周期分量的幅值。
3) 全控整流桥在逆变工作状态下，由于逆变角β过小，或者交流电源电压消失，或者触发脉冲消失等原因引起逆变换流失败，转子绕组通过某对桥臂元件直通短路续流，使这些桥臂元件流过较正常工作电流大和持续时间长的电流。
4) 可控硅控制极受外部干扰信号而误触发，或失脉冲而单相导通，或限制环节失灵使可控硅控制角过小等原因，均有可能使流过硅元件的电流大于正常工作值。
     对于这些情况，通常采用过电流保护措施，迅速将通过可控硅元件的电流予以限制，或者及时切断故障电流，避免硅元件PN结的结温过高而损坏。在一般整流装置中采用的过载及短路保护如下：
     在直流侧装设直流快速开关，其动作时间约10ms，它的主要作用是切断直流侧的故障电流，保护整流装置并避免整流元件的熔断器在直流侧短路时发生熔断。当在整流装置内部发生故障时，直流快速开关对本装置不能起有效和保护作用，仅对并联运行的其它整流装置内部故障有保护作用。