变频器IGBT的主要参数-专业自动化论坛-中国工控网论坛

发表于：2015-08-27 12:51:09

楼主

(1)集一射极额定电压UCES。它是栅一射极短路时的IGBT最大耐压值，是根据器件的雪崩击穿电压规定的。

(2)栅射极额定电压UGES。IGBT是电压控制器件，靠加到栅极的电压信号来控制IGBT的导通和关断，而UGES是栅极的电压控制信号额定值。通常IGBT对栅极的电压控制信号相当敏感，只有栅极在额定电压值很小的范围内，才能使IGBT导通而不致损坏。

(3)栅一射极开启电压UGE(th)。它是指使IGBT导通所需的最小栅一射极电压。通常，IGBT的开启电压UGE(th)在3～5.5V之间。

(4)集电极额定电流IC。它是指在额定的测试温度（壳温为25℃）条件下，IGBT所允许的集电极最大直流电流。

(5)集一射极饱和电压UCEO。IGBT在饱和导通时，通过额定电流的集一射极电压，代表了IGBT的通态损耗大小。通常IGBT的集一射极饱和电压UCEO在1.5～3V之间。

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发表于：2015-08-27 16:57:03

1楼

谢谢分享

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发表于：2015-09-03 08:27:26

2楼

引用江湖走走--原创军团的回复内容：谢谢分享 ...

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