铁电存储技术 点击:157 | 回复:2



junyongqq

    
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发表于:2008-08-04 16:52:42
楼主
为大家介绍一款新型存储器,号称为非易失的RAM存储器。大家了解一下。

铁电技术:以下是铁电存储器与传统存储器的区别。
一:易失性的存储器包括静态存储器SRAM和动态存储器DRAM。
优点:读写速度快,读写寿命无次数限止。
缺点:掉电会丢失数据。

二:现在非易失性存储器包括EEPROM和Flash,不过它们都是在ROM技术上发展而成的。
优点:掉电数据会保存。
缺点:写入时间慢(一般每写入一次,需要一个5至10毫秒时间的缓冲或预冲)
高压写入(内部都要12V至24V的高写入电压)
功耗大
读写有次数限止(EEPROM是100万次,FLASH是10万次)

三:铁电存储器包括了RAM和ROM的所有优点。(可以说铁电是一种掉电数据保存的RAM)
优点:读写速度快(最高可达纳秒级的)
读写次数最低为100亿次(高电压工作为100亿次,低电压为无限次)
低功耗(不需要高压写入)
掉电数据不丢失(保存10年)
在产品上可以直接替换普通的EEPRMO或RAM。

需要资料的请和我联系。曾俊勇,0755-82127901,junyongqq@126.com




junyongqq

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发表于:2008-08-14 18:01:06
1楼
好东西大家一起分享。

shlianxu

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2楼
好东西大家一起分享。shlianxu@126.com

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