成都国腾微电子推出的GM2101、GM2103、GM2104、GM2105、GM2106、GM2107等NV-SRAM芯片完全兼容DALLAS的NV-SRAM非易失性存储器,可以应用嵌入式控制系统领域.
其产品特性如下： 
*具备独特的自动延时上电保护功能 
*内置大容量优质锂电池，在没有外部供电的情况下数据可以持续保持10年以上 
*在掉电的瞬间数据自动被保护 
*完全替代相同容量的易失性SRAM 
*无限次读写 
*超低功耗CMOS 技术 
*读写时间为45ns-70ns 
*宽范围工作电压 
*完善的工业级和商业级型 
*优质进口ABS 外壳 
*优质进口环氧树脂封装 
*纯铜镀锡针脚保证焊接和插接可靠，长时间存放不氧化 
*具有良好兼容性，可完全替代同类产品. 
GM 系列NV-SRAM 可提供32kb 至16Mb 的存储容量，存取时间最高可达45ns，产品质量可靠，性能稳定，各项指标先进，性价比高。
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