GM210X系列NV-SRAM可提供32kb至16Mb的存储容量，存取时间最高可达45ns。读、写接口均与SRAM保持一致，标准Vcc条件下NV-SRAM与同等速度SRAM的操作完全相同。无需担心存储数据分区问题，数据存储位置与标准SRAM相同。
　　电源失效时(Vcc跌落到标准工作电压以下)，内部电路将片选(CE)信号置位，使存储器处于写保护状态、并切换电源以便保持数据。电源恢复正常后，NV SRAM恢复微处理器对CE信号的控制，SRAM电源切换到Vcc。
　　GM系列NV-SRAM产品质量可靠，性能稳定，各项指标先进，性价比高。非常适合在微控制器系统中高速、频繁的存储信息、记录数据等。
★特性
·具备独特的自动延时上电保护功能
·在掉电的瞬间数据自动被保护
·完全替代相同容量的易失性SRAM
·无限次读写
·超低功耗CMOS技术
·读写时间为45ns-70ns
·宽范围工作电压
·完善的工业级和商业级型号
·优质进口ABS外壳
·优质进口环氧树脂封装
·纯铜镀锡针脚保证焊接和插接可靠，长时间存放不氧化
·具有良好兼容性，可完全替代同类产品
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