在工业控制、智能仪表以及物联网设备中，存储芯片既要保证数据非易失性，又需要快速的读写响应。传统的EEPROM和Flash写入速度慢、有擦除次数限制，而SRAM虽然快却掉电丢数据。MRAM芯片的出现正好解决了这一矛盾。NETSOL推出的串行四通道SPI MRAM芯片基于自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）技术，将Flash的非易失性与SRAM的高速随机存取特性融为一体。

NETSOL这款mram芯片采用四通道SPI（串行外设接口）总线，支持XIP（就地执行）功能，代码可直接在芯片内运行，无需先复制到RAM。相比并行接口，SPI的引脚数更少，布局布线简单，对PCB空间紧张的嵌入式系统非常友好。更重要的是，这款NETSOL串行SPI mram芯片四通道模式进一步提升了数据传输带宽，读延迟极低，非常适合需要频繁掉电保护或实时数据记录的场景。目前NETSOL mram芯片系列提供1Mbit到16Mbit的存储密度，能够直接替代相同引脚功能的Flash、FeRAM或带电池的nvSRAM，硬件改动极小。

NETSOL这款SPI MRAM提供了几乎无限的读写耐久性，数据保留长达20年。完全不需要像Flash那样考虑磨损均衡，也无须复杂的坏块管理。mram芯片工作电压范围仅为1.71V~1.98V，适合低功耗应用。温度范围覆盖工业级（-40℃~85℃）和工业+级（-40℃~105℃），无论是北方严寒的户外设备，还是密闭机箱内的高温环境，都能稳定运行。mram芯片封装方面提供小尺寸8引脚WSON、8引脚SOIC、16引脚SOIC以及24引脚FBGA，与同封装的低功耗SRAM或串行Flash兼容，升级替换非常方便。