Everspin和Globalfoundries将其MRAM协议扩展到12nm工艺-专业自动化论坛-中国工控网论坛

Everspin和Globalfoundries将其MRAM协议扩展到12nm工艺点击：258 | 回复：3

精华：0帖
求助：0帖
帖子：219帖 | 195回
年度积分：6
历史总积分：1467
注册：2019年11月27日

发表于：2020-03-16 15:27:01

楼主

MRAM是基于电子自旋而不是电荷的下一代存储技术。MRAM通常被称为“存储器的圣杯”，具有快速，高密度和非易失性的特点，可以在单个芯片中替代当今使用的所有类型的存储器。

Everspin是全球唯一的磁性RAM（MRAM）产品商业制造商。Everspin产品凭借其非常成功的ToggleMRAM技术，被用于从汽车，航空和存储系统到工业自动化，航空航天等领域的各种应用。

Everspin Technologies宣布已修订与GLOBALFOUNDRIES的STT-MRAM联合开发协议（JDA），以为高级12nm FinFETMRAM解决方案的未来项目设定条件。Everspin协议包括40nm，28nm和22nm工艺，现在还包括12nm。

Everspin 1Gb STT-MRAM芯片照片

GF最近宣布已在其22FDX平台上实现了嵌入式MRAM（eMRAM）的初步生产。

Everspin MRAM 128Kb

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	Order Multiple /Tray	MOQ / Tray	MOQ / T&R
128Kb	16Kx8	MR25H128ACDF	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	1,140	4,000
128Kb	16Kx8	MR25H128ACDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	1,140	4,000
128Kb	16Kx8	MR25H128APDF	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	1,140	4,000
128Kb	16Kx8	MR25H128APDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	1,140	4,000
128Kb	16Kx8	MR25H128AMDF	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	570	1,140	4,000
128Kb	16Kx8	MR25H128AMDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	570	1,140	4,000