说到非易失性储存器，大部分人可能知道FRAM比较多。FRAM——FerroelectricRAM(铁电内存)是一种非挥发性RAM，FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。而且它的内存比较小，4K——4M，一般超过256K的，铁电价格就比较高了。

NVSRAM 为 Non-volatile SRAM缩写,即为非易失性SRAM。　　NVSRAM采用SRAM+EEPROM方式,实现了无须后备电池的非易失性存储,芯片接口、时序等与标准SRAM完全兼容。但是NV SRAM中的电池对于数据保存来说至关重要。电池的不良接触会极大地影响电池寿命。其他因素，如震动、湿度以及内置的电池切换电路都会缩短电池的使用寿命，同时也会影响系统的整体可靠性。

现在，飞思卡尔公司独立出一个部门成立为Everspin的公司，专业研发MRAM，磁性随机存储器。当然最早研发MRAM的是摩托罗拉公司，2008年开始量产MRAM，目前是全球独家，但是，鉴于MRAM的优良性能。非易失性，真正的无限次擦写，数据保存至少20年等等。日本东芝和韩国三星也开始着手研发MRAM，相信在不久的将来，MRAM不再是Everspin一家独香，而是百花齐放。当然，MRAM也不是完全没有缺点，磁性随机存储器，在强磁场的影响下，会引起性能不稳定。当然，要看产品运用的场所。

MRAM运用：

扫描仪：用于存储已经扫描了但还没来得及打印的数据的存储，这个作用尤其用于扫描大文件时，如果扫描后还没来得及打印，突然断电，MRAM会把这部分数据保存下来，重新上电开机后不需要再浪费时间重新扫描。

当重新上电时，掉电前的数据不会丢失，可以避免因掉电给客户造成的损失。

工业控制类

工控板，铁路信号控制系统，高压电继电器等
这类产品中，操作过程和数据计算结果等信息尤为重要，当掉电时，MRAM会存储中间操作和计算结果，不会丢失任何中间计算结果。

汽车电子类

行驶记录仪
用于汽车实时数据的存储，即存放汽车发生事故前后的数据，主要是用于分析事故发生的原因和事故的责任。发生事故时,汽车系统很可能会没有电源，需要把速度,刹车，转向灯,车门，发动机的温度等一些重要的信息记录下来，就需要使用到MRAM。

航天电子类

Black-Box

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