双向可控硅击穿爆炸的原因 点击：5528 | 回复：5
发表于：2009-08-11 10:18:34
楼主
我公司的电加热炉采用的是三相双向可控硅交流调压变压整流电路，昨天发生了一相可控硅爆炸事故，另外两相可控硅有一相也击穿了，控制柜内都烧黑了，检查发现相应相的触发板损坏，不知道这是为什么，烧毁的原理是什么？原理是什么？请高工指教，谢谢！
0898-66832125 邢工
发表于：2009-08-12 11:59:01
2楼
可控硅击穿的原因
一般是过流击穿：过流击穿就是电流在通过可控硅芯片时在芯片内部产生热效应，使芯片温度升高，在正常的使用条件下，只要工作电流不超过可控硅额定电流是不会发生这种热击穿的，要检查一下你的负载有没有问题，同时确认实际工作电流有没有超过三相双向可控硅的额定电流，一般情况下，SCR的选型是负载实际电流的1.25倍。
过热击穿：这里所说的过热击穿是指在工作电流并不超过可控硅额定电流的情况下而发生的热击穿，发生这种击穿的原因主要是可控硅的辅助散热装置工作不良而引起可控硅芯片温度过高导致击穿。这就要看你的SCR散热如何了。
本人专业做电热炉，有问题可以发邮件weiwei1980316@163.com
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