在各类电源、电机驱动及控制电路中，MDD辰达半导体 MOSFET 是最常见的功率器件之一。由于其工作频率高、电流大、温升快，一旦出现故障，往往会造成系统停机甚至连带烧毁其他元件。作为MDD FAE，如何快速定位问题、判断失效类型并指导客户恢复，是关键技能。

一、常见故障类型分类

在实际应用中，MOSFET 的典型失效类型包括：

短路失效（D-S导通）：漏源极间电阻近似为零，多由过压击穿或热失控导致；

开路失效：器件内部焊线断裂或硅片烧蚀，无法导通；

漏电/性能退化：静态漏电流升高，开关损耗增加；

栅极损伤：EAS 或 ESD 造成栅氧层击穿，导致栅极驱动异常；

热击穿或封装炭化：散热不良或PCB铜箔脱焊导致。

二、快速定位思路

1、初步判断（不带电测）

使用万用表电阻档（或二极管档）快速排查：

测量 D-S间电阻：

若 <10Ω，基本确定短路。

若 >1MΩ 且无导通迹象，可能开路或栅极失效。

测量 G-S间电阻：

应在数百kΩ以上；若几Ω或几十Ω，则为栅极击穿。

测量 D-G间：若存在导通或低阻，也可能为内部氧化层破坏。

这一步可在几分钟内初步判断 MOS 是否损坏。

2、通电动态验证

若外观及静态测试无异常，可进入动态测试。

用示波器监测 栅极驱动波形：应为方波，幅度应≥10V（N沟MOS）；若波形失真或幅值不足，需检查驱动芯片。

监测 D-S波形与电流波形：若开通/关断时间延长、波形拖尾明显，说明MOS内部特性退化或结温偏高。

3、温升与短时应力验证

使用红外热像仪或点温仪观测温度分布；

若单颗MOS温升明显高于其他并联器件（>10°C差异），说明内部R_DS(on) 异常或焊接不良；

对高频应用，观察波形是否存在过冲、振铃等迹象。

三、故障原因分析与修复建议

四、FAE快速诊断技巧

判断优先级：

先电阻测量，再通电波形，再热像验证；

切勿带电乱测，避免二次击穿。

记录对比数据：

与正常通道MOS对比电压、波形、温度差异，可快速缩小范围。

关注外部驱动与供电：

很多MOS失效并非器件问题，而是驱动欠压、反相电感、接地干扰造成。

MDD MOSFET 故障诊断的关键在于——

“静态判定准、动态验证快、系统思维全。”

FAE在支持客户时，通常可通过简单的万用表和示波器，在10分钟内判断出故障类型。后续应结合应用场景，提出散热、驱动、布局等预防性优化，避免重复损坏。