分享ISSIIS62WV20488EALL低电压2Mx8并口SRAM 点击:173 | 回复:0



宇芯电子

    
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发表于:2020-06-01 14:59:16
楼主

ISSI IS62WV20488EALL/BL和IS65WV20488EALL/BLL是高速16M位SRAM,组织为2M字乘8位。它主要是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺再加上创新的电路设计技术,生产出高性能优质和低功耗的设备。
 
当为高电平(取消选择)或CS2为低电平(取消选择)时,器件将会进入待机模式,在该模式下可以通过CMOS输入电平降低功耗。使用芯片能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable(低写使能)控制存储器的写入和读取。
IS62WV20488EALL均采用JEDEC标准的48引脚微型BGA(6mm x 8mm)封装。
 
框图
 

 
特征
高速访问时间:45ns,55ns
·CMOS低功耗操作
– 30 mW(典型值)运行
– 12 µW(典型值)CMOS待机
·TTL兼容接口级别
·单电源
–1.65V–1.98V Vdd(62 / 65WV20488EALL)
– 2.2V--3.6V Vdd(62 / 65WV20488EBLL)
·完全静态操作:无需时钟或刷新
·工业(-40oC至+ 85oC)和汽车(-40oC至+ 125oC)温度支持

 工作温度范围
 




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