功率MOS场效应晶体管全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管PowerMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor、，简称功率MOSFET，它是一种电压控制器件。根据载流子的性质，MOSFET可分为N沟道和P沟道两种类型，图形符号如图所示。根据导电结构，MOSFET有垂直导电结构与横向导电结构，而功率MOSFET几乎都是由垂直导电结构组成的，这种晶体管称为VMOSFET。
　　a、N沟道类型：b、P沟道类型

　　VMOSFET的主要特点：
　　1、开关速度非常快。VMOSFET为多数载流子器件，不存在存贮效应，故开关速度快，其一般低压器件开关时间为10ns数量级，高压器件为100ns数量级，适扩合于做高频功率开关。
　　2、高输入阻抗和低电平驱动。VM0S器件输入阻抗通常107、Ω以上，直流驱动电流为0.1μA数量级，故只要逻辑幅值超过VM0S的阈值电压3.5～4V、，则可由CM0S和LSTTL及标准TTL等器件直接驱动，驱动电路简单。
　　3、安全工作区宽。VM0S器件无二次击穿，安全工作区由器件的峰值电流、击穿电压的额定值和功率容量来决定，故工作安全，可靠性高。
　　4、热稳定性高。VMOS器件的最小导通电压由导通电阻决定，其低压器件的导通电阻很小，但且随着漏极-源极间电压的增大而增加，即漏极电流有负的温度系数，使管耗随温度的变化得到一定的自补偿。
　　5、易于并联使用。VM0S器件可简单并联，以增加其电流容量，而双极型器件并联使用需增设均流电阻、内部网络匹配及其他额外的保护装置。
　　6、跨导高度线性。VM0S器件是一种短沟道器件，当UGS上升到一定值后，跨导基本为一恒定值，这就使其作为线性器件使用时，非线性失真大为减小。
　　7、管内存在漏源二极管。VM0S器件内部漏极-源极之间寄生一个反向的漏源二极管，其正向开关时间小于10ns，和快速恢复二极管类似也有一个100ns数量级的反向恢复时间。该二极管在实际电路中可起钳位和消振作用。
　　8、注意防静电破坏。尽管VM0S器件有很大的输入电容，不像一般MOS器件那样对静电放电很敏感，但由于它的栅极-源极间最大额定电压约为±20V，远低于100～2500V的静电电压，因此，要注意采取防静电措施，即运输时器件应放于抗静电包装或导电的泡沫塑料中;拿取器件时要戴接地手镯，最好在防静电工作台上操作;焊接要用接地电烙铁;在栅极-源极间应接一只电阻使其保持低阻抗，必要时并联稳压值为20V的稳压二极管加以保护。