【仙人掌科技工业级闪存卡-小知识】读取干扰错误处理~! 点击:295 | 回复:0



Cactus-Danile

    
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发表于:2017-04-26 16:01:57
楼主

覆盖的产品: 仙人掌科技工业级CF卡系列, 仙人掌科技工业级SATA系列, 仙人掌科技工业级SD卡系列, 仙人掌科技工业级USB系列产品。


1   简介

对闪存设备来说,一些应用大部分都是读操作,基本没有写操作。例如一个大型游戏机的应用,软件一旦加载到闪存卡上就只有读操作,并禁止非正常的写入操作。

对闪存设备来说,没有写操作的这类应用,用户选择使用MLC NAND,认为MLC的耐用性,在被无限的读取操作中,不会出现问题。然而,实际状况却不是这样!从实际应用中长时间收集的数据来看,即使只有读操作,在MLC NAND设备中,也会损坏NAND。

原因:读取操作中产生的干扰错误,对闪存来说是致命的。尤其是小制程工艺的MLC(24nm以下)。

在本文中,我们将解析读取操作产生干扰错误的原因,及仙人掌科技的闪存产品,使用了哪些方法来减少、避免这些问题。


2   读取干扰错误

在一个NAND FLASH阵列里面,存储单元(cell)在一个长的串型结构里面,功能相当于一个多输入的与非门。

在一个读取操作期间,给选择到的字线(wordline)施加一个可以读操作的阀值电压,给未选择到的字线高电压,这样NAND里面所有的存储单元都被完全控制。被选择的存储单元的状态 会被传送到传感运放。

偏置条件如下图1:

图 1: 读取偏置条件


这个偏置条件,会导致其他未选择到的字线控制的存储单元被缓慢编程(漏电),如果这个读取操作偏置条件被重复多次,最后,未选择的字线里面的cell将缓慢的上升到被编程状态,并导致传感错误,这个状态如下图:

图2: 读取干扰


附近cell的交错噪声也会导致读取干扰错误。由于设备的制程收缩,这些交错噪声会进一步导致错误,具体如下图:

典型的干扰错误是在高温环境下,因为高温会加速存储单元里面电荷的运动。

如果不能正确处理读取干扰错误,最后将形成不能修复ECC错误而导致设备损坏。


3   读取错误处理

为了减轻读取错误的影响,仙人掌科技产品实现了2个特征。


3.1    接近错误的ECC

根据ECC错误的检测阀值小于最大值,设备可以设置ECC的校正能力,当达到读操作的阀值时,错误的块将通过重新写数据而被刷新,根据不同的产品,重写操作在下次写命令时立即进行。


3.2    平均读写块

在平均读写块的过程中,每个块将对读取错误进行计数,总数会被监测并同预设置的阀值做比较,当达到阀值时,块将重写数据而被刷新。

注意产品会有很小的可能在刷新坏块时会产生很小的性能影响,一般仅仅在产品的寿命末期发生。


文章原创:工业级闪存专家仙人掌科技




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