美国Ramtron公司铁电存贮器（FRAM）的核心技术是铁电晶体材料．这一特殊材料使得铁电存贮产品同时拥有随机存取记忆体(RAM) 和非易失性存贮产品的特性． 铁电晶体材料的工作原理是: 当我们把电场加载到铁电晶体材料上，晶阵中的中心原子会沿着电场方向运动，到达稳定状态．晶阵中的每个自由浮动的中心原子只有两个稳定状态．一个我们拿来记忆逻辑中的０，另一个记忆１．中心原子能在常温，没有电场的情况下停留在此状态达一百年以上．铁电记忆体不需要定时刷新，能在断电情况下保存数据． 由于在整个物理过程中没有任何原子碰撞，铁电记忆体 (FRAM)拥有高速读写，超低功耗，和无限次写入等超级特性． FRAM总特点: 1)非易失性（掉电后数据能保存10年，所有产品都是工业级）； 2)擦写次数多（5V供电的FRAM的擦写次数100亿次，低电压的FRAM的擦写次数为1亿亿次，）； 3)速度快（串口总线的FRAM的CLK的频率高达20M，并且没有10MS的写的等待周期，并口的访问速度70NS）； 4)功耗低（静态电流小于10UA，读写电流小于150UA）； 5)读写无限次（在FRAM读写次数超过100亿次（5V供电的FRAM）后，FRAM还能工作，只是数据不能保存）。